[发明专利]用于光刻工艺的定位方法及定位标识

权利要求书

1.一种用于光刻工艺的定位方法，其特征在于，包括：

获取第一光罩制程形成的第一定位标识，所述第一定位标识包括相互平行的第一侧边和第二侧边；

获取第二光罩制程形成的第二定位标识，所述第二定位标识包括第三侧边和第四侧边，所述第三侧边和第一侧边平行，所述第四侧边和第二侧边相交的角度小于45度；

根据所述第四侧边和所述第二侧边的相交角度和相交位置确定所述第三侧边和所述第一侧边之间的偏差；

所述根据所述第四侧边和所述第二侧边的相交角度和相交位置确定所述第三侧边和所述第一侧边之间的偏差包括：

基于预设平面坐标系确定所述第四侧边和所述第二侧边的相交角度和相交位置，所述预设平面坐标系为以第一侧边为一坐标轴、以垂直所述第一侧边的方向为另一坐标轴、以所述第一侧边的端点为原点的二维坐标系；

根据所述第四侧边和所述第二侧边的相交角度和相交位置确定所述第四侧边与所述第二侧边的相交位置沿平行于所述第一侧边方向的间距；

根据所述间距确定所述第三侧边和所述第一侧边之间的偏差。

2.根据权利要求1所述的用于光刻工艺的定位方法，其特征在于，所述第一定位标识包括十字定位识别图形或相邻侧边相互垂直的对称多边形定位识别图形，所述第二定位标识包括侧边带有坡度的对称多边形定位识别图形。

3.根据权利要求1所述的用于光刻工艺的定位方法，其特征在于，所述第一定位标识和第二定位标识的图形形状不同，所述第一定位标识的第二侧边沿第一侧边方向上的长度小于等于所述第二定位标识的第四侧边沿第一侧边方向上的长度。

4.根据权利要求1所述的用于光刻工艺的定位方法，其特征在于，所述第一定位标识位于底层金属板上或覆盖于底层金属板的底层掩膜版上，所述第二定位标识位于所述底层金属板上或与底层掩膜版相邻的覆盖于所述底层金属板的顶层掩膜版上。

5.根据权利要求4所述的用于光刻工艺的定位方法，其特征在于，所述第一定位标识和第二定位标识通过光刻蚀、电子束或腐蚀溶剂方式分别形成于相邻的底层掩膜版和顶层掩膜版上，所述掩膜版用于在覆盖于基板的金属层表面形成对应的光刻图形。

6.根据权利要求5所述的用于光刻工艺的定位方法，其特征在于，所述底层掩膜版与所述顶层掩膜版的曝光窗口长度不同。

7.根据权利要求2所述的用于光刻工艺的定位方法，其特征在于，所述第一定位标识还包括第五侧边，第二定位标识还包括第六侧边，所述第五侧边与所述第二侧边平行，所述第六侧边与所述预设平面 坐标系的一个坐标轴的夹角与所述第四侧边与所述预设平面 坐标系的所述坐标轴的夹角相同，所述第五侧边与所述第六侧边相交，所述第五侧边的长度大于所述第六侧边的长度。

8.根据权利要求1所述的用于光刻工艺的定位方法，其特征在于，通过以下公式确定所述第三侧边和所述第一侧边之间的偏差：

h＝2a*cotθ

其中，h为所述间距，a为所述偏差，θ为所述相交角度。