[发明专利]半导体装置及其控制方法

说明书

实施方式涉及半导体装置及其控制方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部的背面侧的第一电极；表面侧的第二电极；所述半导体部与所述第二电极之间的第一以及第二控制电极；所述第一以及第二控制电极与所述第一电极之间的第三控制电极；电连接于所述第一控制电极的第一布线；电连接于所述第二控制电极的第二布线；以及连接于所述多个第三控制电极的第三布线。所述第一以及第二控制电极位于所述半导体部中，从所述半导体部电绝缘。所述第一以及第二控制电极在沿着所述半导体部的所述表面的第一方向上并排地配置，相互电分离。所述第三控制电极位于所述半导体部中，从所述半导体部电绝缘，从所述第一以及第二控制电极电绝缘。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020^-47541号(申请日：2020年3月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置及其控制方法。

背景技术

功率用半导体装置中期望减少开关损耗。

发明内容

实施方式提供能够减少关断损耗的半导体装置及其控制方法。

实施方式的半导体装置具备：半导体部；第一电极，设于所述半导体部的背面侧；第二电极，设于所述半导体部的表面侧；第一以及第二控制电极，设于所述半导体部与所述第二电极之间；分别设于所述第一以及第二控制电极与所述第一电极之间的多个第三控制电极；电连接于所述第一控制电极的第一布线；电连接于所述第二控制电极的第二布线；以及连接于所述多个第三控制电极的第三布线。所述第一控制电极位于所述半导体部中，利用第一绝缘部从所述半导体部电绝缘，利用第一层间绝缘膜与所述第二电极电绝缘。所述第二控制电极在所述半导体部与所述第二电极之间，在沿着所述半导体部的所述表面的第一方向上与所述第一控制电极并排地配置，位于所述半导体部中，利用第二绝缘部从所述半导体部电绝缘，利用第二层间绝缘膜与所述第二电极电绝缘，且从所述第一控制电极电分离。所述多个第三控制电极位于所述半导体部中，分别利用第三绝缘部从所述半导体部电绝缘，利用第四绝缘部分别与所述第一以及第二控制电极电绝缘。所述半导体层包含第一导电型的第一层、第二导电型的第二层、所述第一导电型的第三层、以及所述第二导电型的第四层。所述第一层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述多个第三控制电极位于所述第一层中。所述第二层设于所述第一层与所述第二电极之间，隔着所述第一绝缘部而与所述第一控制电极面对，隔着所述第二绝缘部而与所述第二控制电极面对。所述第三层选择性地设于所述第二层与所述第二电极之间，与所述第一绝缘部相接，电连接于所述第二电极。所述第四层设于所述第一层与所述第一电极之间，电连接于所述第一电极。

附图说明

图1是例示第一实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图2的(a)～(c)是例示第一实施方式的半导体装置的其他剖面的示意图。

图3是例示第一实施方式的半导体装置的控制方法的时序图。

图4的(a)以及(b)是例示第一实施方式的第一变形例的半导体装置的示意剖面图。

图5的(a)以及(b)是例示第一实施方式的第二变形例的半导体装置的示意剖面图。

图6是例示第一实施方式的第三变形例的半导体装置的示意剖面图。

图7的(a)以及(b)是例示第一实施方式的第四变形例的半导体装置的示意剖面图。

图8是例示第二实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图9的(a)以及(b)是例示第二实施方式的变形例的半导体装置的示意剖面图。

具体实施方式