[发明专利]半导体装置及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体部；

第一电极，设于所述半导体部的背面侧；

第二电极，设于所述半导体部的表面侧；

第一控制电极，在所述半导体部与所述第二电极之间被设为位于所述半导体部中，利用第一绝缘部从所述半导体部电绝缘，并利用第一层间绝缘膜与所述第二电极电绝缘；

第二控制电极，在所述半导体部与所述第二电极之间，在沿着所述半导体部的所述表面的第一方向上与所述第一控制电极并排地配置，并被设为位于所述半导体部中，利用第二绝缘部从所述半导体部电绝缘，利用第二层间绝缘膜与所述第二电极电绝缘，且与所述第一控制电极电分离；

多个第三控制电极，分别设于所述第一控制电极与所述第一电极之间以及所述第二控制电极与所述第一电极之间，位于所述半导体部中，利用第三绝缘部从所述半导体部电绝缘，利用第四绝缘部分别与所述第一控制电极以及所述第二控制电极电绝缘；

第一布线，电连接于所述第一控制电极；

第二布线，电连接于所述第二控制电极；以及

第三布线，连接于所述多个第三控制电极，

所述半导体层包含第一导电型的第一层、第二导电型的第二层、所述第一导电型的第三层、以及所述第二导电型的第四层，

所述第一层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述多个第三控制电极位于所述第一层中，

所述第二层设于所述第一层与所述第二电极之间，隔着所述第一绝缘部而与所述第一控制电极面对，隔着所述第二绝缘部而与所述第二控制电极面对，

所述第三层选择性地设于所述第二层与所述第二电极之间，与所述第一绝缘部相接，电连接于所述第二电极，

所述第四层设于所述第一层与所述第一电极之间，电连接于所述第一电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述半导体部还包含第二导电型的第五层，该第五层选择性地设于所述第二层与所述第二电极之间，并电连接于所述第二电极，

所述第五层包含比所述第二层的第二导电型杂质高浓度的第二导电型杂质。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述半导体部还包含第六层，该第六层设于所述第一层与所述第二层之间，且包含比所述第一层的第一导电型杂质的浓度高浓度的第一导电型杂质，

所述第一控制电极以及所述第二控制电极分别隔着所述第一绝缘部以及所述第二绝缘部而与所述第六层面对。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述多个第三控制电极各自的从所述第一电极朝向所述第二电极的第二方向的厚度比所述第四绝缘部的所述第二方向的厚度薄。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述多个第三控制电极在从所述第一电极朝向所述第二电极的第二方向上，设于所述半导体部的所述第一层的中央。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

所述第四绝缘部的所述第二方向的厚度比所述多个第三控制电极各自的所述第二方向的厚度薄。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述半导体部还包含第二导电型区域，该第二导电型区域设于所述第一层中，且隔着所述第三绝缘部而包围所述多个第三控制电极的每一个第三控制电极。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述多个第三控制电极中的一个包含第一部分和第二部分，该第一部分位于所述第一控制电极中的与所述第三层隔着所述第一绝缘膜而面对的部分与所述第一电极之间，该第二部分位于所述第一控制电极的除了上述部分以外的部分与所述第一电极之间，

在从所述第一电极朝向所述第二电极的第二方向上，所述第一部分具有所述第一厚度，所述第二部分具有比所述第一厚度薄的第二厚度。