[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1半导体层，沿着与衬底平行的第1方向延伸；

第1绝缘层，沿着所述第1方向延伸，且与所述第1半导体层的朝向与所述第1方向交叉的第2方向的第1主面相接；

第2绝缘层，沿着所述第1方向延伸，且与所述第1半导体层的朝向所述第2方向的第2主面相接；

第2半导体层，沿着所述第1方向延伸，且与所述第1绝缘层的朝向所述第2方向的第3主面相接；

第3半导体层，沿着所述第1方向延伸，且与所述第2绝缘层的朝向所述第2方向的第4主面相接；

第1导电体，沿着与所述第1及第2方向交叉的第3方向延伸；

第3绝缘层，与所述第1导电体的第5主面相接；

第4绝缘层，设置在所述第2半导体层与所述第3绝缘层之间；

第1电荷储存层，设置在所述第2半导体层与所述第4绝缘层之间；以及

第5绝缘层，设置在所述第2半导体层与所述第1电荷储存层之间，且与所述第2半导体层及所述第1电荷储存层相接；

所述第2半导体层的一部分、所述第1导电体的一部分、所述第3绝缘层的一部分、所述第4绝缘层、所述第1电荷储存层、及所述第5绝缘层作为第1存储单元发挥功能。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第2导电体，沿着所述第3方向延伸；

第6绝缘层，与所述第2导电体的第6主面相接；

第7绝缘层，设置在所述第3半导体层与所述第6绝缘层之间；

第2电荷储存层，设置在所述第3半导体层与所述第7绝缘层之间；以及

第8绝缘层，设置在所述第3半导体层与所述第2电荷储存层之间，且与所述第3半导体层及所述第2电荷储存层相接；

所述第3半导体层的一部分、所述第2导电体的一部分、所述第6绝缘层的一部分、所述第7绝缘层、所述第2电荷储存层、及所述第8绝缘层作为第2存储单元发挥功能。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2半导体层为金属硫化物。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中所述金属硫化物包含W、Mo、Hf、Zr的至少一种。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中所述金属硫化物为层状结晶。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2半导体层在所述第2半导体层的与所述第1导电体相对的区域中，具有2个以下的晶粒。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2半导体层具有(100)配向性。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2半导体层为单晶硅。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第3导电体，沿着所述第3方向延伸；

第9绝缘层，与所述第3导电体的第7主面相接；

第10绝缘层，设置在所述第2半导体层与所述第9绝缘层之间；

第3电荷储存层，设置在所述第2半导体层与所述第10绝缘层之间；以及

第11绝缘层，设置在所述第2半导体层与所述第3电荷储存层之间，且与所述第2半导体层及所述第3电荷储存层相接；

所述第2半导体层的一部分、所述第3导电体的一部分、所述第9绝缘层的一部分、所述第10绝缘层、所述第3电荷储存层、及所述第11绝缘层作为第3存储单元发挥功能，

所述第1存储单元与所述3存储单元在所述第1方向排列设置。