[发明专利]标记方法

说明书

一种用于将唯一明确的标识施加到半导体晶片的每个单个太阳能电池堆叠上的标记方法，该方法至少包括以下步骤：提供具有上侧和下侧并且包括构造下侧的Ge衬底的半导体晶片，并且借助第一激光进行激光烧蚀来在半导体晶片的每个太阳能电池堆叠的下侧的表面区域上产生具有唯一明确的形貌的标识，其中，该表面区域分别由Ge衬底或由覆盖Ge衬底的隔离层构造。

技术领域

本发明涉及一种用于将唯一明确(eindeutig)的标识(Kennzeichnung)施加到半导体晶片的每个单个太阳能电池堆叠上的标记方法。

背景技术

可追溯性是在制造半导体构件时监测和优化工艺的重要工具。为了使太阳能电池堆叠变得可追溯，太阳能电池堆叠设有唯一明确的标识，例如连续的数字。例如，在最终控制之后，借助喷墨标记太阳能电池堆叠。

从DE 10 2009 009 499 A1中已知用于未经处理的半导体衬底的标记方法，其中，将该标记布置在衬底背侧上。

从US 2009/050198 A1中已知一种用于太阳能电池的标记方法，其中，该标记布置在太阳能电池的有效区域中(即布置在太阳能电池正侧上)。在通过掺杂剂的扩散和在半导体衬底的正侧上施加印制导线来产生太阳能电池之前，例如借助激光烧蚀将标记施加在半导体衬底的正侧上。

从US 2019/181289 A1中同样已知标记结构在太阳能电池的正侧上的布置。

从US 2016/064334 A1中已知一种用于分离之前的芯片(即在晶圆级上)的标记方法，其中，将该标记构造为背侧接通结构的一部分。

从US 2016/172306 A中已知在分离之前标记在每个芯片的正侧上的布置。

发明内容

在这些背景下，本发明的任务在于说明一种扩展现有技术的设备。

该任务借助具有根据本发明的特征的标记方法来解决。本发明的有利构型是优选的实施方式。

根据本发明的主题，提供一种用于将唯一明确的标识施加到半导体晶片的每个单个太阳能电池堆叠上的标记方法，该方法至少包括以下步骤：

提供具有上侧、下侧并且包括Ge衬底的半导体晶片，该Ge衬底构造该下侧；

借助第一激光进行激光烧蚀来在半导体晶片的每个太阳能电池堆叠的下侧的表面区域上产生具有唯一明确的形貌(Topografie)的标识，其中，该表面区域分别由Ge衬底或由覆盖Ge衬底的隔离层构造。

可以理解，标识可以构造为例如任意图样，例如条形码或二维码或矩阵码，或者也可以构造为可唯一明确辨识的数字序列和/或字母序列。

此外可以理解，优选地包括100mm或150mm的直径的Ge半导体晶片具有至少两个太阳能电池堆叠。优选地，两个太阳能电池堆叠在半导体晶片的上侧上借助分离区域彼此分离。

还应该注意的是，太阳能电池堆叠优选地涉及多结太阳能电池(Mehrfachsolarzelle)。这类多结太阳能电池具有多个p-n结，其中，所述p-n结借助隧道二极管串联连接。在一种扩展方案中，多结太阳能电池的堆叠构造为单片的。

借助激光烧蚀在太阳能电池堆叠下侧的表面区域中产生不同深度的沟道/凹部，从而得出唯一明确的形貌，其中，深度分别取决于能量输入。

借助激光烧蚀可以以简单、快速且可靠的方式产生唯一明确的形貌。

通过在半导体晶片的复合物中标记各个太阳能电池，即在分离之前或在晶圆级(Wafer-level)上，仅须对半导体晶片的所有太阳能电池堆叠执行唯一的校准步骤。此外，从制造过程中的该早期时刻开始就已经可以在没有其他文献资料的情况下唯一明确地辨识各个太阳能电池堆叠。