[发明专利]标记方法

权利要求书

1.一种标记方法，其用于将唯一明确的标识(K)施加到具有至少两个太阳能电池堆叠(12)的半导体晶片(10)的每个单个太阳能电池堆叠(12)上，所述标记方法至少包括以下步骤：

提供如下的半导体晶片(10)：所述半导体晶片具有上侧(10.1)、下侧(10.2)并且包括Ge衬底(14)，其中，所述Ge衬底构造所述下侧(10.2)；

借助第一激光进行激光烧蚀来在所述半导体晶片(10)的每个太阳能电池堆叠(12)的所述下侧(10.2)的表面区域中产生具有唯一明确的形貌的标识；

其中，所述表面区域分别由所述Ge衬底(14)构造或由覆盖所述Ge衬底(14)的隔离层(22)构造。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在产生所述唯一明确的标识(K)之后，借助第一蚀刻溶液执行蚀刻工艺，用以清洁和加深所述标识(K)的形貌。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在施加所述唯一明确的标识(K)之后，将由所述Ge衬底(14)形成的所述表面区域与所述Ge衬底(14)的下侧(10.1)一起金属化。

4.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在施加所述唯一明确的标识(K)之后，将所述半导体晶片(10)的太阳能电池堆叠(12)分离。

5.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在生长所述Ge衬底(14)上的层之前，执行所述标记。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在生长所述Ge衬底(14)上的层之后，执行所述标记。

7.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片(10)具有多个太阳能电池堆叠(12)，其中，每个太阳能电池堆叠分别按顺序地具有所述Ge衬底(14)、Ge子电池(16)和至少两个III-V族子电池(18，20)，其中，所述Ge衬底构造所述下侧(10.2)。