[发明专利]一种增强型氢终端金刚石场效应晶体管及制备方法

权利要求书

1.一种增强型氢终端金刚石场效应晶体管，其特征在于，包括：金刚石衬底(1)、位于所述金刚石衬底(1)上的氢终端表面(2)、位于所述氢终端表面(2)上两侧的源、漏电极(3)、位于所述源、漏电极(3)之间的栅电极(4)以及位于所述栅电极下方的MgF₂栅介质层(5)；其中，

所述MgF₂栅介质层(5)位于所述源、漏电极(3)之间的所述氢终端表面(2)上，并向两边延伸至完全覆盖所述源、漏电极(3)的上表面以形成钝化层。

2.根据权利要求1所述的增强型氢终端金刚石场效应晶体管，其特征在于，所述MgF₂栅介质层(5)的厚度为5～25nm。

3.根据权利要求1所述的增强型氢终端金刚石场效应晶体管，其特征在于，所述金刚石衬底(1)为单晶或者多晶金刚石衬底。

4.根据权利要求1所述的增强型氢终端金刚石场效应晶体管，其特征在于，所述源、漏电极(3)的材料为金属Au，其厚度为60～140nm。

5.根据权利要求1所述的增强型氢终端金刚石场效应晶体管，其特征在于，所述栅电极(4)的材料为金属Al，其厚度为60～140nm。

6.根据权利要求1所述的增强型氢终端金刚石场效应晶体管，其特征在于，所述栅电极(4)采用T型栅结构。

7.根据权利要求6所述的增强型氢终端金刚石场效应晶体管，其特征在于，所述T型栅结构与所述源、漏电极之间的间距为零。

8.一种增强型氢终端金刚石场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

采用MPCVD工艺生长金刚石薄膜作为器件的衬底；

在所述衬底上形成氢终端表面；

在所述氢终端表面淀积金属以形成源、漏电极；

在Ar气氛围下，在整个器件表面制备MgF₂栅介质层；

在所述MgF₂栅介质层上制作栅电极以完成整个器件的制备。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述MgF₂栅介质层采用热蒸发、磁控溅射、分子束外延或金属有机化学气相沉积工艺制备。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述MgF₂栅介质层在20～100℃的温度下制备。