[发明专利]一种激光剥离方法及装置

说明书

本发明涉及一种激光剥离方法及装置，该激光剥离装置包括：激光发射装置，分光装置及第一激光反射单元；激光发射装置向分光装置辐射激光束，分光装置将激光束分为射向待剥离物的第一激光束和射向第一激光反射单元的第二激光束，第一激光束的能量大于第二激光束，第一激光束被配置为使待剥离物中的微元件和生长基底分离；第一激光反射单元将第二激光束反射至微元件，以去除经第一激光束作用后的微元件上的残留物；通过分光装置将激光束分成两束激光，将待剥离物中的微元件和生长基底进行激光剥离的同时，充分去除微元件上的残留物，使得微元件和生长基底充分剥离的同时进行残留物的去除，有效提高工艺效率，降低成本。

技术领域

本发明涉及半导体显示技术领域，尤其涉及一种激光剥离方法及装置。

背景技术

微元件包括但不限于半导体器件，以微型发光二极管(Micro Light EmittingDiode，Micro LED)为例，Micro LED作为下一代显示技术，相比于液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)、有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)技术，其亮度更高、发光效率更好、同时具有低功耗和长寿命的性能。

在Micro LED制备工艺流程过程中，一项关键技术是去除生长基底所使用的激光剥离技术。示例性地，激光剥离技术主要是利用缓冲层(例如氮化镓)与生长基底的带隙差异，采用光子能量大于氮化镓带隙、小于生长基底带隙的紫外激光辐射，使氮化镓在900℃～1000℃热分解形成金属镓和氮气，从而实现Micro LED自生长基底的分离。但是在激光剥离过程后，Micro LED上往往会存在少部分的金属镓。为了解决该问题，相关技术中是将经过激光剥离后的Micro LED通过酸洗(HCL)工艺进行去除，但是采用酸洗会使Micro LED芯片的电极受到一定程度的腐蚀。

因此，如何在既不腐蚀Micro LED电极的情况下实现金属镓的去除是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种激光剥离方法及装置，旨在解决激光剥离工艺中，采用酸洗工艺去除残留物会使微元件的电极受到一定程度腐蚀的问题。

本发明提供一种激光剥离装置，包括：激光发射装置，分光装置，第一激光反射单元；

所述激光发射装置被配置为辐射激光束；

所述分光装置设于所述激光束的出光光路上；所述分光装置被配置为将所述激光束分为第一激光束和第二激光束，其中，经所述分光装置分束后的所述第一激光束的能量大于第二激光束的能量，所述第一激光束作用于一待剥离物以使所述待剥离物中的微元件和生长基底分离；

所述第一激光反射单元被配置为将所述第二激光束反射至所述微元件，以去除经所述第一激光束作用后的所述微元件表面的残留物。

上述激光剥离装置中，通过设置的分光装置，将激光发射装置发射出的激光分成两束激光，第一激光束被微元件与生长基底之间的缓冲层吸收产生化学反应，从而将生长基底与微元件分离，第二激光束射向经第一激光束作用后的微元件表面。以缓冲层为氮化镓为例，相应微元件表面的残留物为金属镓，而金属镓的熔点较低(29.7℃)，所以较低熔点的金属镓可容易地经由该第二激光束去除。故，本申请实现微元件与生长基底充分剥离的同时还能将微元件表面残留的金属去除，从而可有效避免微元件的电极被腐蚀，提高产品良率。

可选地，所述第一激光反射单元包括：第一振镜，第一扫描电镜；

所述第一扫描电镜和所述分光装置均连接于所述第一振镜，所述第一扫描电镜被配置为反射所述第二激光束；

所述第一振镜被配置为控制经所述分光装置分束后的所述第一激光束和所述第二激光束射向所述待剥离物。

可选地，经所述第一激光反射单元反射后的第二激光束与所述第一激光束平行。