[发明专利]存储器装置及形成存储器装置的方法

说明书

本申请案涉及存储器装置及形成存储器装置的方法。一些实施例包含一种集成组合件，其具有与电节点耦合的底部电极。所述底部电极中的每一者具有与所述电节点中的相关联者电耦合的第一支腿，且具有接合到所述第一支腿的第二支腿。第一间隙在一些所述底部电极之间，且第二间隙在其它所述底部电极之间。所述第一间隙与所述第二间隙交替。绝缘材料及导电板材料在所述第一间隙内。支架结构在所述第二间隙内且不在所述第一间隙内。电容器包含所述底部电极、所述绝缘材料的区及所述导电板材料的区。所述电容器可为铁电电容器或非铁电电容器。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

技术领域

存储器装置(例如，包括随机存取存储器的存储器阵列)及形成存储器装置的方法。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM)可利用个别地包括与电容器组合的存取晶体管的存储器单元。

铁电随机存取存储器(FeRAM)可与DRAM类似地配置，但FeRAM利用铁电电容器来代替常规DRAM的非铁电电容器除外。

将期望开发改进式存储器架构及形成存储器架构的改进方法。还将期望此类方法适用于制造DRAM及FeRAM两者。

发明内容

一方面，本申请案提供一种集成组合件，其包括：沿着横截面的横向隔开的电节点；底部电极，其与所述电节点耦合；所述底部电极中的每一者具有与所述电节点中的相关联者电耦合的第一支腿且具有接合到所述第一支腿的第二支腿；所述第二支腿基本上正交于所述第一支腿；所述底部电极的第一组具有在第一方向上沿着所述横截面从所述第二支腿突出的所述第一支腿；所述底部电极的第二组具有在第二方向上沿着所述横截面从所述第二支腿突出的所述第一支腿，其中所述第二方向与所述第一方向相反；所述第一组的所述底部电极沿着所述横截面与所述第二组的所述底部电极交替；第一间隙，其在相邻底部电极的所述第一支腿之间；第二间隙，其在相邻底部电极的所述第二支腿之间；垂直堆叠的支架结构，其在所述第二间隙内且不在所述第一间隙内；所述垂直堆叠的支架结构通过中介空间而彼此垂直隔开；绝缘材料，其在所述第一间隙内且沿着所述第一支腿及所述第二支腿；导电板材料，其在所述绝缘材料上方且通过所述绝缘材料而与所述底部电极隔开；及电容器，其包括所述底部电极、所述绝缘材料的区及所述导电板材料的区。

另一方面，本申请案进一步提供一种集成组合件，其包括：第一电节点，其与第二电节点横向邻近；第一导电结构，其与所述第一电节点电耦合；所述第一导电结构具有在所述第一电节点上方的第一基本上水平的支腿，且具有接合到所述第一基本上水平的支腿的第一基本上垂直的支腿；所述第一基本上垂直的支腿具有与所述第一基本上水平的支腿成相对关系的第一内边缘，且具有在所述第一基本上水平的支腿正上方的第一外边缘；第二导电结构，其与所述第二电节点电耦合；所述第二导电结构具有在所述第二电节点上方的第二基本上水平的支腿，且具有接合到所述第二基本上水平的支腿的第二基本上垂直的支腿；所述第二基本上垂直的支腿具有与所述第二基本上水平的支腿成相对关系的第二内边缘，且具有在所述第二基本上水平的支腿正上方的第二外边缘；所述第一内边缘及所述第二内边缘，其沿着横截面彼此面对；间隙，其在所述第一内边缘与所述第二内边缘之间；两个或更多个支架层，其在所述间隙内；所述支架层中的每一者直接接触所述第一内边缘且直接接触所述第二内边缘；所述支架层通过中介空间而彼此垂直隔开；绝缘材料，其沿着所述第一外边缘及所述第二外边缘且直接接触所述第一外边缘及所述第二外边缘以及所述第一基本上水平的支腿及所述第二基本上水平的支腿的上表面；导电板材料，其与所述绝缘材料邻近且通过所述绝缘材料而与所述第一导电结构及所述第二导电结构隔开；第一电容器，其包括所述第一导电结构、所述绝缘材料的第一区及所述导电板材料的第一区；及第二电容器，其包括所述第二导电结构、所述绝缘材料的第二区及所述导电板材料的第二区。