[发明专利]存储器装置及形成存储器装置的方法

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

沿着横截面的横向隔开的电节点；

底部电极，其与所述电节点耦合；所述底部电极中的每一者具有与所述电节点中的相关联者电耦合的第一支腿且具有接合到所述第一支腿的第二支腿；所述第二支腿基本上正交于所述第一支腿；所述底部电极的第一组具有在第一方向上沿着所述横截面从所述第二支腿突出的所述第一支腿；所述底部电极的第二组具有在第二方向上沿着所述横截面从所述第二支腿突出的所述第一支腿，其中所述第二方向与所述第一方向相反；所述第一组的所述底部电极沿着所述横截面与所述第二组的所述底部电极交替；

第一间隙，其在相邻底部电极的所述第一支腿之间；

第二间隙，其在相邻底部电极的所述第二支腿之间；

垂直堆叠的支架结构，其在所述第二间隙内且不在所述第一间隙内；所述垂直堆叠的支架结构通过中介空间而彼此垂直隔开；

绝缘材料，其在所述第一间隙内且沿着所述第一支腿及所述第二支腿；

导电板材料，其在所述绝缘材料上方且通过所述绝缘材料而与所述底部电极隔开；及

电容器，其包括所述底部电极、所述绝缘材料的区及所述导电板材料的区。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述绝缘材料是非铁电的。

3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述绝缘材料是铁电的。

4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述支架结构包括氮化硅。

5.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述支架结构直接接触所述第二支腿。

6.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述绝缘材料在所述支架结构之间的所述中介空间内。

7.根据权利要求6所述的集成组合件，其中所述导电板材料在所述支架结构之间的所述中介空间内。

8.根据权利要求1所述的集成组合件，其中：

所述电节点与晶体管的上源极/漏极区相关联；

所述晶体管具有从所述上源极/漏极区垂直偏移的下源极/漏极区；且

所述晶体管具有在所述上源极/漏极区与所述下源极/漏极区之间的垂直延伸沟道区。

9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中存储器阵列包括含有所述电容器的存储器单元。

10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述存储器阵列是DRAM阵列。

11.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述存储器阵列是FeRAM阵列。