[发明专利]半导体晶片检验方法及其系统

说明书

本发明实施例涉及半导体晶片检验方法及其系统。本发明实施例提供一种半导体晶片检验方法。所述方法包含以下操作。扫描半导体晶片以获取扫描图，其中所述半导体晶片是根据具有经编程缺陷的设计图进行图案化。根据所述设计图上的所述经编程缺陷的位置及所述扫描图上的所述经编程缺陷的位置将所述设计图及所述扫描图变换为经变换检验图。本发明实施例也提供半导体晶片检验系统。

技术领域

本发明实施例涉及半导体晶片检验方法及其系统。

背景技术

制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用大量半导体制造工艺处理衬底(例如半导体晶片)以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是一种涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的抗蚀剂的半导体制造工艺。在一些其它实例中，制造工艺可包含例如化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子布植的操作。多个半导体装置可制造于单个半导体晶片上的布置中，且接着被分离为个别半导体装置。

在半导体制造工艺期间的各个步骤使用检验过程检测晶片上的缺陷以促成制造工艺的更高良率。检验已成为制造半导体装置(例如IC)的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于成功地制造可接受半导体装置变得甚至更加重要，这是因为较小的缺陷可引起装置故障。

发明内容

本发明的实施例涉及一种半导体晶片检验方法，其包括：扫描半导体晶片以获取扫描图，其中所述半导体晶片是根据具有经编程缺陷的设计图进行图案化；及根据所述设计图上的所述经编程缺陷的位置及所述扫描图上的所述经编程缺陷的位置将所述设计图及所述扫描图变换为经变换检验图。

本发明的实施例涉及一种半导体晶片检验方法，其包括：根据设计图上的预期位置在所述半导体晶片上形成经编程缺陷；扫描所述半导体晶片以获取扫描图；检测所述扫描图中的所述经编程缺陷的实际位置；及基于所述设计图及所述扫描图获得经变换检验图，以确定所述预期位置与所述实际位置之间的偏移。

本发明的实施例涉及一种半导体晶片检验系统，其包括：计算设备，其经配置以提供具有在预期位置上的第一经编程缺陷的设计图；图案化设备，其耦合到所述计算设备且经配置以根据所述设计图在半导体晶片的实际位置上形成所述第一经编程缺陷；及检验设备，其耦合到所述计算设备且经配置以扫描所述半导体晶片以获取扫描图；其中所述计算设备进一步经配置以产生经变换检验图，以确定所述预期位置与所述实际位置之间的偏移。

附图说明

当结合附图阅读时，从下文具体实施方式最好地理解本揭露的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各种结构未按比例绘制。事实上，为清楚论述起见，各种结构的尺寸可任意增大或减小。

图1说明根据本揭露的一些实施例的半导体晶片检验方法的流程图。

图2A说明根据本揭露的一些实施例的设计图的俯视图。

图2B说明根据本揭露的一些实施例的设计图的俯视图。

图2C说明根据本揭露的一些实施例的掩模层的俯视图。

图3说明根据本揭露的一些实施例的扫描图的俯视图。

图4A说明根据本揭露的一些实施例的设计图的俯视图。

图4B说明根据本揭露的一些实施例的扫描图的俯视图。

图5说明根据本揭露的一些实施例的半导体晶片的一部分的俯视图。

图6说明根据本揭露的一些实施例的经变换检验图的俯视图。

图7说明根据本揭露的一些实施例的设计图的俯视图。

图8A说明根据本揭露的一些实施例的经变换检验图的俯视图。

图8B说明根据本揭露的一些实施例的经变换检验图的俯视图。