[发明专利]半导体晶片检验方法及其系统

权利要求书

1.一种半导体晶片检验方法，其包括：

扫描半导体晶片以获取扫描图，其中所述半导体晶片是根据具有经编程缺陷的设计图进行图案化；及

根据所述设计图上的所述经编程缺陷的位置及所述扫描图上的所述经编程缺陷的位置将所述设计图及所述扫描图变换为经变换检验图。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过比较所述经变换检验图上的所述经编程缺陷的位置与所述经变换检验图上的一对关注区域标记的位置而自我监测变换准确度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述一对关注区域标记相对于所述设计图上的所述经编程缺陷对称地定位且指示所述经编程缺陷的预期位置。

4.根据权利要求3所述的方法，其中比较所述经变换检验图上的所述经编程缺陷的所述位置与所述一对关注区域标记的所述位置包括：获得所述经编程缺陷的所述预期位置与所述经变换检验图上的所述经编程缺陷的所述位置之间的偏移。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括根据所述偏移更新所述经变换检验图。

6.一种半导体晶片检验方法，其包括：

根据设计图上的预期位置在所述半导体晶片上形成经编程缺陷；

扫描所述半导体晶片以获取扫描图；

检测所述扫描图中的所述经编程缺陷的实际位置；及

基于所述设计图及所述扫描图获得经变换检验图，以确定所述预期位置与所述实际位置之间的偏移。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述设计图包括第一坐标平面，且所述扫描图包括第二坐标平面，所述第一坐标平面及所述第二坐标平面与线性映射函数相关。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述设计图进一步包括相对于所述经编程缺陷的所述预期位置对称地定位的两个关注区域标记。

9.一种半导体晶片检验系统，其包括：

计算设备，其经配置以提供具有在预期位置上的第一经编程缺陷的设计图；

图案化设备，其耦合到所述计算设备，且经配置以根据所述设计图在半导体晶片的实际位置上形成所述第一经编程缺陷；及

检验设备，其耦合到所述计算设备，且经配置以扫描所述半导体晶片以获取扫描图；

其中所述计算设备进一步经配置以产生经变换检验图，以确定所述预期位置与所述实际位置之间的偏移。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述设计图进一步包括第二经编程缺陷，且所述第二经编程缺陷通过所述图案化设备形成于所述半导体晶片上且通过所述检验设备扫描。