[发明专利]受光装置以及半导体装置

说明书

实施方式提供一种能够将像素间分离而减少串扰、并且能够抑制受光灵敏度的降低的受光装置以及半导体装置。实施方式的受光装置具备：深沟槽隔离部，配置于具有光电转换元件的多个像素各自的周围，用于将所述像素之间分离；以及浅沟槽隔离部，层叠有与所述光电转换元件串联连接的灭弧电阻元件，层叠设置在所述深沟槽隔离部。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020－52687号(申请日：2020年3月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及受光装置以及半导体装置。

背景技术

以往，公开了一种将灭弧电阻与雪崩光电二极管(APD：Avalanche Photo Diode)的串联连接并联连接，并测量入射的光子的个数的受光装置的技术。由于APD由硅(Si)构成，因此被称作SiPM(Silicon Photo multipliers，硅光电倍增管)。

该SiPM作为光源使用激光二极管(LD)，用于测定与测定对象物之间的距离的距离测定系统。

在以高灵敏度测定与测定对象物之间的距离时，需要抑制与邻接的像素(＝APD)之间的串扰(crosstalk)。

因此，为了分离邻接的像素而将深沟槽隔离(DTI：Deep Trench Isolation)配置于像素周围，进行各像素的划分。

在上述构成中，为了将与APD连接的灭弧电阻以绝缘状态配置，使用了深沟槽隔离，但由于灭弧电阻的设置面积相对较大，因此对应设置的DTI的截面面积也变大。

因此，存在有效的APD的受光面积降低、灵敏度降低的隐患。

更详细地说，已知在以往的SiPM中，由于有效的APD的受光面积的降低，特别是800nm以上(特别是900nm以上)的波长区域的灵敏度大幅降低。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够将像素间分离而减少串扰、并且能够抑制受光灵敏度的降低的受光装置以及半导体装置。

实施方式的受光装置具备：深沟槽隔离部，配置于具有光电转换元件的多个像素各自的周围，用于将所述像素之间分离；以及浅沟槽隔离部，层叠有与所述光电转换元件串联连接的灭弧电阻元件，层叠设置在所述深沟槽隔离部。

附图说明

图1是实施方式的受光装置的概要构成俯视图。

图2是实施方式的受光装置的像素区域的一部分的概要构成俯视图。

图3是表示实施方式的受光装置的一部分的等效电路的图。

图4是用于实施方式的受光装置的内部构造说明的俯视图。

图5是图4的A－A剖面图。

图6是第二实施方式的说明图。

图7是第三实施方式的说明图。

图8是第四实施方式的半导体装置的概要剖面说明图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式的受光装置进行详细说明。另外，不通过这些实施方式限定本发明。

[1]第一实施方式

图1是实施方式的受光装置的概要构成俯视图。

受光装置10具备：在硅制的半导体基板上形成有多个光电转换元件的多个像素区域11；按每个像素区域而设置的电极焊盘(键合焊盘)12、以及将像素区域11与电极焊盘12电连接的布线13。

图2是实施方式的受光装置的像素区域的一部分的概要构成俯视图。