[发明专利]受光装置以及半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010875374.3 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN113451336A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 国分弘一 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L31/02;H01L31/107;H01L21/762;H01L31/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 装置 以及 半导体
【权利要求书】:

1.一种受光装置,具备:

深沟槽隔离部,配置于具有光电转换元件的多个像素各自的周围,用于将所述像素之间分离;以及

浅沟槽隔离部,层叠有与所述光电转换元件串联连接的灭弧电阻元件,层叠设置于所述深沟槽隔离部。

2.如权利要求1所述的受光装置,

所述深沟槽隔离部的宽度比所述浅沟槽隔离部的宽度短。

3.如权利要求1或2所述的受光装置,

所述浅沟槽隔离部被形成为,向包含所述光电转换元件的受光面的虚拟平面的正投影包含所述灭弧电阻元件向所述虚拟平面的正投影的形状。

4.如权利要求1或2所述的受光装置,

所述深沟槽隔离部具备:

第一深沟槽隔离部,与邻接的一方的像素相接;以及

第二深沟槽隔离部,与邻接的另一方的像素相接。

5.如权利要求4所述的受光装置,

所述浅沟槽隔离部以被埋入所述第一深沟槽隔离部与所述第二深沟槽隔离部之间的方式层叠。

6.如权利要求1或2所述的受光装置,

所述光电转换元件构成为与所述灭弧电阻元件串联连接的单一光子雪崩光电二极管。

7.一种半导体装置,具备:

权利要求1至6中任一项所述的受光装置;以及

逻辑电路,具有元件间被与所述浅沟槽隔离部相同结构的第二浅沟槽隔离部分离的MOS晶体管。

8.如权利要求7记载的半导体装置,

所述第二浅沟槽隔离部是与层叠有所述灭弧电阻元件的浅沟槽隔离部相同的组成。

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