[发明专利]受光装置以及半导体装置在审
| 申请号: | 202010875374.3 | 申请日: | 2020-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN113451336A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
| 发明(设计)人: | 国分弘一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/02;H01L31/107;H01L21/762;H01L31/18 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 装置 以及 半导体 | ||
1.一种受光装置,具备:
深沟槽隔离部,配置于具有光电转换元件的多个像素各自的周围,用于将所述像素之间分离;以及
浅沟槽隔离部,层叠有与所述光电转换元件串联连接的灭弧电阻元件,层叠设置于所述深沟槽隔离部。
2.如权利要求1所述的受光装置,
所述深沟槽隔离部的宽度比所述浅沟槽隔离部的宽度短。
3.如权利要求1或2所述的受光装置,
所述浅沟槽隔离部被形成为,向包含所述光电转换元件的受光面的虚拟平面的正投影包含所述灭弧电阻元件向所述虚拟平面的正投影的形状。
4.如权利要求1或2所述的受光装置,
所述深沟槽隔离部具备:
第一深沟槽隔离部,与邻接的一方的像素相接;以及
第二深沟槽隔离部,与邻接的另一方的像素相接。
5.如权利要求4所述的受光装置,
所述浅沟槽隔离部以被埋入所述第一深沟槽隔离部与所述第二深沟槽隔离部之间的方式层叠。
6.如权利要求1或2所述的受光装置,
所述光电转换元件构成为与所述灭弧电阻元件串联连接的单一光子雪崩光电二极管。
7.一种半导体装置,具备:
权利要求1至6中任一项所述的受光装置;以及
逻辑电路,具有元件间被与所述浅沟槽隔离部相同结构的第二浅沟槽隔离部分离的MOS晶体管。
8.如权利要求7记载的半导体装置,
所述第二浅沟槽隔离部是与层叠有所述灭弧电阻元件的浅沟槽隔离部相同的组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





