[发明专利]LED组件及显示装置、以及LED组件的制作方法及显示装置的制作方法在审
申请号: | 202010874417.6 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN112447898A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 金谷康弘;小出元 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 牛蔚然 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 组件 显示装置 以及 制作方法 | ||
本发明涉及LED组件及显示装置、以及LED组件的制作方法及显示装置的制作方法。LED芯片具有发光效率高的优点,但由于光扩散地照射,就仅向正面(垂直方向)照射的光的强度而言存在并不那么高的问题。LED组件具有在基底面上设置的第1金属层和在第1金属层之上配置的LED芯片。第1金属层的形成轮廓的第1端部从基底面离开,且第1金属层包含自与LED芯片重叠的区域起至第1端部弯曲的部分。
技术领域
本发明的一实施方式涉及安装有LED(Light Emitting Dioder:发光二极管)芯片的LED组件及包含该LED组件的结构的显示装置、以及它们的制造方法。
背景技术
在以矩阵状排列的像素中安装有被称为Micro LED的微小的发光二极管的MicroLED显示器是已知的。就Micro LED显示器而言,在像素为自发光型这一点上与使用有机电致发光元件的有机EL显示器是共通的。但是,有机EL显示器中有机电致发光元件直接形成在形成有薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)的所谓背板的基板上,相对于此,MicroLED显示器中将在另一基板上制作的LED芯片安装于背板,二者在这一点上不同。
发明内容
发明要解决的课题
LED芯片与有机电致发光元件相比具有发光效率高的优点,但由于光扩散地照射,就仅向正面(垂直方向)照射的光的强度而言存在并不那么高的问题。本发明一实施方式的目的之一在于解决这样的问题。
用于解决课题的手段
本发明一实施方式涉及的LED组件具有在基底面上设置的第1金属层和在第1金属层之上配置的LED芯片。第1金属层的形成轮廓的第1端部从基底面离开、且该第1金属层包含自与LED芯片重叠的区域起至第1端部弯曲的部分。
本发明一实施方式涉及的LED组件的制造方法包含:在基底面上形成第1金属层(其具有形成轮廓的第1端部),对第1金属层进行热处理,在第1金属层之上配置LED芯片,加热处理包含:通过热处理,使第1金属层的第1端部从基底面离开、且形成自第1端部起至内侧弯曲的部分。
附图说明
图1示出本发明一实施方式涉及的LED组件的构成,(A)示出俯视图,(B)示出剖视图。
图2示出本发明一实施方式涉及的LED组件的构成,示出LED芯片与第1金属层及透明导电层连接的详细结构。
图3示出本发明一实施方式涉及的LED组件的制造工序,(A)至(D)示出形成第1金属层的各步骤。
图4示出本发明一实施方式涉及的LED组件的制造工序,(A)至(D)示出形成第1金属层的各步骤。
图5示出本发明一实施方式涉及的LED组件的构成,(A)示出俯视图,(B)示出剖视图。
图6示出本发明一实施方式涉及的LED组件的构成,(A)示出俯视图,(B)示出剖视图。
图7示出本发明一实施方式涉及的LED组件的制造工序,(A)至(D)示出形成第1金属层的各步骤。
图8示出本发明一实施方式涉及的显示装置的构成。
图9示出本发明一实施方式涉及的显示装置中的像素的剖视图。
附图标记说明
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