[发明专利]静电保护器件及静电保护电路

说明书

本发明实施例提供一种静电保护器件及静电保护电路，静电保护器件包括：泄放晶体管，位于衬底上，用于泄放静电电荷；第一焊盘，位于第一金属层，与所述泄放晶体管的漏极区电连接；其中，所述第一焊盘在所述衬底上的投影与所述漏极区在所述衬底上的投影部分重叠。本发明有利于减小静电保护器件的有效芯片面积，以及提高静电保护器件的静电泄放速度和泄放能力。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种静电保护器件及静电保护电路。

背景技术

静电无处不在，假如没有静电保护电路，一块芯片很快会被各种各样的静电所损伤，且这种损伤通常是致命的。

为了提高静电保护电路的静电泄放能力，泄放晶体管通常需要有较大尺寸；此外，静电保护电路的脉冲特性决定了电阻和电容会占用较大的芯片面积，再加上较大的泄放晶体管的面积，使得应用于芯片管脚的静电保护电路的有效面积较大。

随着芯片管脚的数量逐渐增多，减小静电保护电路的电路有效面积成为非常值得尝试的优化方向。

发明内容

本发明实施例提供一种静电保护器件和静电保护电路，有利于减小静电保护器件的有效芯片面积，以及提高静电保护器件的静电泄放速度和泄放能力。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种静电保护器件，包括：泄放晶体管，位于衬底上，用于泄放静电电荷；第一焊盘，位于第一金属层，与所述泄放晶体管的漏极区电连接；其中，所述第一焊盘在所述衬底上的投影与所述漏极区在所述衬底上的投影部分重叠。

另外，记所述第一焊盘在所述衬底上的投影为第一投影，记所述漏极区在所述衬底上的投影为第二投影，所述第一投影位于所述第二投影内。

另外，所述静电保护器件还包括：第二金属层，位于所述第一金属层和所述漏极区之间，所述第二金属层与所述第一金属层通过导电插塞电连接，所述漏极区与所述第二金属层通过第一接触孔电连接。

另外，记所述导电插塞在所述衬底上的投影为第三投影，记所述第一接触孔在所述衬底上的投影为第四投影，所述第三投影和所述第四投影均位于所述第二投影内。

另外，多个所述第一接触孔组成第一接触孔阵列，所述第一接触孔阵列相对于所述漏极区的中心呈中心对称。

另外，所述第一接触孔为凹槽型接触孔。如此，有利于降低第一接触孔与漏极区之间的接触电阻，进而提高静电保护器件的静电泄放能力。

另外，所述泄放晶体管的栅极结构呈环形形状，所述第一接触孔阵列的外边缘到对应的所述栅极结构的内边缘的距离相等。如此，有利于使得泄放电流在第一接触孔阵列朝向栅极结构的多个方向上均匀流动，保证泄放晶体管有较好的电流泄放能力。

另外，所述泄放晶体管的源极区接第二接触孔，所述第二接触孔到所述泄放晶体管的栅极结构的距离小于所述第一接触孔到所述泄放晶体管的栅极结构的距离。如此，有利于使得漏极区在泄放电流流通路径上具有较大的暴露面积，从而使得漏极区具有较好的散热能力，避免漏极区因电流较大而发生过热损坏，进而使得泄放晶体管具有较长的使用寿命。

另外，所述泄放晶体管的栅极结构呈环形形状，所述漏极区位于所述栅极结构内。如此，有利于进一步提高泄放电流的均匀性。

另外，所述环形形状包括四边形、六边形、八边形。

另外，所述环形形状的内部拐角均大于90度。如此，有利于降低拐角的电流冲击强度，避免拐角因电流冲击过强而提前老化以及损坏，保证泄放晶体管具有较长的使用寿命。

另外，所述泄放晶体管的栅极结构相对于所述漏极区的中心点呈中心对称。

另外，所述漏极区的面积大于所述泄放晶体管的源极区的面积。