[发明专利]静电保护器件及静电保护电路在审
| 申请号: | 202010872697.7 | 申请日: | 2020-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN114121931A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
| 发明(设计)人: | 李新;应战 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 保护 器件 电路 | ||
1.一种静电保护器件,其特征在于,包括:
泄放晶体管,位于衬底上,用于泄放静电电荷;
第一焊盘,位于第一金属层,与所述泄放晶体管的漏极区电连接;
其中,所述第一焊盘在所述衬底上的投影与所述漏极区在所述衬底上的投影部分重叠。
2.根据权利要求1所述的静电保护器件,其特征在于,记所述第一焊盘在所述衬底上的投影为第一投影,记所述漏极区在所述衬底上的投影为第二投影,所述第一投影位于所述第二投影内。
3.根据权利要求2所述的静电保护器件,其特征在于,还包括:
第二金属层,位于所述第一金属层和所述漏极区之间,所述第二金属层与所述第一金属层通过导电插塞电连接,所述漏极区与所述第二金属层通过第一接触孔电连接。
4.根据权利要求3所述的静电保护器件,其特征在于,记所述导电插塞在所述衬底上的投影为第三投影,记所述第一接触孔在所述衬底上的投影为第四投影,所述第三投影和所述第四投影均位于所述第二投影内。
5.根据权利要求4所述的静电保护器件,其特征在于,多个所述第一接触孔组成第一接触孔阵列,所述第一接触孔阵列相对于所述漏极区的中心呈中心对称。
6.根据权利要求5所述的静电保护器件,其特征在于,所述第一接触孔为凹槽型接触孔。
7.根据权利要求5所述的静电保护器件,其特征在于,所述泄放晶体管的栅极结构呈环形形状,所述第一接触孔阵列的外边缘到对应的所述栅极结构的内边缘的距离相等。
8.根据权利要求5所述的静电保护器件,其特征在于,所述泄放晶体管的源极区接第二接触孔,所述第二接触孔到所述泄放晶体管的栅极结构的距离小于所述第一接触孔到所述泄放晶体管的栅极结构的距离。
9.根据权利要求1所述的静电保护器件,其特征在于,所述泄放晶体管的栅极结构呈环形形状,所述漏极区位于所述栅极结构内。
10.根据权利要求9所述的静电保护器件,其特征在于,所述环形形状包括四边形、六边形、八边形。
11.根据权利要求9所述的静电保护器件,其特征在于,所述环形形状的内部拐角均大于90度。
12.根据权利要求1所述的静电保护器件,其特征在于,所述泄放晶体管的栅极结构相对于所述漏极区的中心点呈中心对称。
13.根据权利要求1所述的静电保护器件,其特征在于,所述漏极区的面积大于所述泄放晶体管的源极区的面积。
14.根据权利要求1所述的静电保护器件,其特征在于,还包括:
打线焊盘,位于重布线金属层,所述打线焊盘与所述第一焊盘电连接,所述重布线金属层位于所述第一金属层上方。
15.根据权利要求14所述的静电保护器件,其特征在于,还包括:
重布线通孔,用于将所述第一金属层和所述重布线金属层进行电连接。
16.根据权利要求15所述的静电保护器件,其特征在于,记所述第一焊盘在所述衬底上的投影为第一投影,记所述漏极区在所述衬底上的投影为第二投影,记所述重布线通孔在所述衬底上的投影为第五投影,记所述打线焊盘在所述衬底上的投影为第六投影,所述第一投影、所述第五投影均位于所述第二投影内,所述第六投影位于所述第二投影外。
17.根据权利要求16所述的静电保护器件,其特征在于,所述打线焊盘的面积大于所述第一焊盘的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





