[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法

说明书

本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括透明基板、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、绝缘层、N型焊盘、P型焊盘和保护层；外延层上设有凹槽和隔离槽；N型电极设置在N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上；绝缘层铺设在除N型电极和P型电极所在区域之外的区域上，绝缘层内设有第一通孔和第二通孔；N型焊盘设置在第一通孔内和绝缘层上，P型焊盘设置在第二通孔内和绝缘层上；N型焊盘和P型焊盘均包括依次层叠的腐蚀敏感层、腐蚀迟钝层和焊接层，保护层插设在N型焊盘和P型焊盘的边缘区域的腐蚀迟钝层中，并至少延伸到N型焊盘和P型焊盘的设置表面。本公开可靠性较高。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光。通过采用不同的半导体材料和结构，LED能够覆盖从紫外到红外的全色范围，被广泛地应用在经济生活中的显示、装饰、通讯等领域。

芯片是LED的核心器件，包括正装、倒装和垂直三种结构。相关技术中，倒装LED芯片包括透明基板、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、钝化保护层、N型焊盘和P型焊盘。N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在透明基板上；P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上。钝化保护层铺设在凹槽内除N型电极设置区域之外的区域上、以及P型半导体层上除P型电极设置区域之外的区域上。钝化保护层上设有延伸至N型电极的第一通孔和延伸至P型电极的第二通孔，N型焊盘设置在第一通孔内和第一通孔周围的钝化保护层上，P型焊盘设置在第二通孔内和第二通孔周围的钝化保护层上。

相关技术中的N型焊盘和P型焊盘大部分都在钝化保护层外，容易受到环境的腐蚀，导致芯片失效。

发明内容

本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，可以有效防止N型焊盘和P型焊盘受到环境的腐蚀，提高芯片的可靠性。所述技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括透明基板、外延层、N型电极、P型电极、绝缘层、N型焊盘、P型焊盘和保护层；

所述外延层包括依次层叠在所述透明基板上的N型半导体层、有源层、P型半导体层；所述外延层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽、以及延伸至所述透明基板的隔离槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；所述绝缘层铺设在所述凹槽内除所述N型电极所在区域之外的区域上、以及所述P型半导体层上除所述P型电极所在区域之外的区域上，所述绝缘层内设有延伸至所述N型电极的第一通孔、以及延伸至所述P型电极的第二通孔；所述N型焊盘设置在所述第一通孔内、以及所述第一通孔周围的绝缘层上，所述P型焊盘设置在所述第二通孔内、以及所述第二通孔周围的绝缘层上；

所述N型焊盘和所述P型焊盘均包括依次层叠的腐蚀敏感层、腐蚀迟钝层和焊接层，所述保护层插设在所述N型焊盘和所述P型焊盘的边缘区域的腐蚀迟钝层中，并至少延伸到所述N型焊盘和所述P型焊盘的设置表面。

可选地，所述腐蚀迟钝层为Au层。

可选地，所述保护层两侧的腐蚀迟钝层的厚度相等。

可选地，所述N型焊盘和所述P型焊盘还包括紧密接触层，所述紧密接触层插设在所述N型焊盘和所述P型焊盘的边缘区域的腐蚀迟钝层中，插设在所述腐蚀迟钝层中的保护层插设在所述紧密接触层中。

可选地，所述紧密接触层为Ti层。

可选地，所述保护层两侧的紧密接触层的厚度相等。

可选地，插设在所述腐蚀迟钝层中保护层的厚度沿从所述腐蚀迟钝层的边缘向所述腐蚀迟钝层的中心的方向逐渐减小。