[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括透明基板(10)、外延层(20)、N型电极(31)、P型电极(32)、绝缘层(40)、N型焊盘(51)、P型焊盘(52)和保护层(60)；

所述外延层(20)包括依次层叠在所述透明基板(10)上的N型半导体层(21)、有源层(22)、P型半导体层(23)；所述外延层(20)上设有延伸至所述N型半导体层(21)的凹槽(100)、以及延伸至所述透明基板(10)的隔离槽(200)；所述N型电极(31)设置在所述凹槽(100)内的N型半导体层(21)上，所述P型电极(32)设置在所述P型半导体层(23)上；所述绝缘层(40)铺设在所述凹槽(100)内除所述N型电极(31)所在区域之外的区域上、以及所述P型半导体层(23)上除所述P型电极(32)所在区域之外的区域上，所述绝缘层(40)内设有延伸至所述N型电极(31)的第一通孔(300)、以及延伸至所述P型电极(32)的第二通孔(400)；所述N型焊盘(51)设置在所述第一通孔(300)内、以及所述第一通孔(300)周围的绝缘层(40)上，所述P型焊盘(52)设置在所述第二通孔(400)内、以及所述第二通孔(400)周围的绝缘层(40)上；

所述N型焊盘(51)和所述P型焊盘(52)均包括依次层叠的腐蚀敏感层(53)、腐蚀迟钝层(54)和焊接层(55)，所述保护层(60)插设在所述N型焊盘(51)和所述P型焊盘(52)的边缘区域的腐蚀迟钝层(54)中，且所述保护层(60)至少延伸到所述外延层(20)中设置所述N型焊盘(51)的表面和所述外延层(20)中设置所述P型焊盘(52)的表面，所述腐蚀迟钝层(54)为Au层，所述N型焊盘(51)和所述P型焊盘(52)还包括紧密接触层(56)，所述紧密接触层(56)插设在所述N型焊盘(51)和所述P型焊盘(52)的边缘区域的腐蚀迟钝层(54)中，插设在所述腐蚀迟钝层(54)中的保护层(60)插设在所述紧密接触层(56)中，所述紧密接触层(56)呈环形，所述保护层(60)两侧的紧密接触层(56)的厚度相等，

所述保护层(60)包括依次层叠的氮化硅层(61)、氮氧化硅层(62)和氧化硅层(63)。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述保护层(60)两侧的腐蚀迟钝层(54)的厚度相等。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述紧密接触层(56)为Ti层。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，插设在所述腐蚀迟钝层(54)中保护层(60)的厚度沿从所述腐蚀迟钝层(54)的边缘向所述腐蚀迟钝层(54)的中心的方向逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述透明基板(10)设置所述外延层(20)的区域具有凹凸不平的图形，所述透明基板(10)未设置所述外延层(20)的区域为平面。

6.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供设有外延层的透明基板，所述外延层包括依次层叠在所述透明基板上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述外延层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；

在所述凹槽内的N型半导体层上设置N型电极，在所述P型半导体层上设置P型电极；

在所述外延层上开设延伸至所述透明基板的隔离槽；

在所述凹槽内除所述N型电极所在区域之外的区域上、以及所述P型半导体层上除所述P型电极所在区域之外的区域上铺设绝缘层，所述绝缘层内设有延伸至所述N型电极的第一通孔、以及延伸至所述P型电极的第二通孔；

在所述第一通孔内、以及所述第一通孔周围的绝缘层上设置N型焊盘，在所述第二通孔内、以及所述第二通孔周围的绝缘层上设置P型焊盘，并形成保护层；所述N型焊盘和所述P型焊盘均包括依次层叠的腐蚀敏感层、腐蚀迟钝层和焊接层，所述保护层插设在所述N型焊盘和所述P型焊盘的边缘区域的腐蚀迟钝层中，且所述保护层(60)至少延伸到所述外延层(20)中设置所述N型焊盘(51)的表面和所述外延层(20)中设置所述P型焊盘(52)的表面，所述腐蚀迟钝层(54)为Au层，所述N型焊盘(51)和所述P型焊盘(52)还包括紧密接触层(56)，所述紧密接触层(56)插设在所述N型焊盘(51)和所述P型焊盘(52)的边缘区域的腐蚀迟钝层(54)中，插设在所述腐蚀迟钝层(54)中的保护层(60)插设在所述紧密接触层(56)中，所述紧密接触层(56)呈环形，所述保护层(60)两侧的紧密接触层(56)的厚度相等，

所述保护层(60)包括依次层叠的氮化硅层(61)、氮氧化硅层(62)和氧化硅层(63)。