[发明专利]利用氧乙炔燃流制备氧化物原位包覆ZrB2 在审
| 申请号: | 202010871399.6 | 申请日: | 2020-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN112194506A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
| 发明(设计)人: | 柳彦博;马壮;徐俊杰;谢明劭;张泽;鲁剑啸 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
| 主分类号: | C04B41/87 | 分类号: | C04B41/87;C04B35/58;C04B35/628;C04B35/626 |
| 代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 周蜜;仇蕾安 |
| 地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 乙炔 制备 氧化物 原位 zrb base sub | ||
本发明涉及一种利用氧乙炔燃流制备氧化物原位包覆ZrB2‑SiC团聚粉体的方法,属于复合粉体材料技术领域。先采用喷雾造粒获得ZrB2‑SiC团聚粉体,然后采用感应等离子球化工艺获得球化ZrB2‑SiC团聚粉体,再经过氧乙炔燃流氧化处理使球化ZrB2‑SiC团聚粉体在其表面自氧化形成氧化物壳层,得到具有明显核壳结构的氧化物包覆ZrB2‑SiC团聚粉体。采用本发明所述方法获得的氧化物包覆ZrB2‑SiC团聚粉体球形度高以及致密度良好,满足等离子喷涂对于粉体的要求;同时,在等离子喷涂过程中,氧化物包覆层能抑制SiC的挥发,降低SiC的损失,而且氧化物的熔点低于ZrB2,粉体可以熔融的更加充分,进一步填充涂层中片层搭接造成的间隙、空位等缺陷,提高涂层的致密性。
技术领域
本发明涉及一种利用氧乙炔燃流制备氧化物原位包覆ZrB2-SiC团聚粉体的 方法,属于复合粉体材料技术领域。
背景技术
碳纤维增强碳基体复合材料(C/C)具有高温稳定性好、热膨胀系数低、高 温力学性能稳定等优点,是制备飞行器热端部件的主要材料之一。但C/C材料 高温有氧环境中存在氧化烧蚀的严重缺陷,在其表面制备抗氧化烧蚀涂层是提 高其抗氧化烧蚀性能的有效方法之一。
二硼化锆(ZrB2)是一种六方晶系准金属结构化合物,具有高熔点(3040℃) 高硬度以及优异化学稳定性等优点。碳化硅(SiC)具有高强度、高硬度、低热 膨胀系数等优点。二硼化锆-碳化硅(ZrB2-SiC)涂层以其具有熔点高、热稳定 性良好、高温下有适当的粘度和蒸汽压等优点,而且其在不同温度下生成的氧 化物在抗烧蚀过程中起到了封填孔隙、阻挡氧气扩散的作用,成为抗氧化烧蚀 涂层的研究焦点。
目前,制备等离子喷涂用ZrB2-SiC团聚粉体的方法主要是通过球磨混粉和 喷雾造粒工艺。上述工艺制得的ZrB2-SiC团聚粉体内部致密性不够,存在大量 的界面间隙,喷涂中难以熔融并且经过载气输送后容易出现破碎;而且利用大 气等离子喷涂系统制备涂层时,ZrB2-SiC团聚粉体沉积过程中片层间缺陷较多, 制备的抗氧化烧蚀涂层存在空隙较多、结构松散等问题。基于以上原因,迫切 需要发展一种适用于等离子喷涂用的ZrB2-SiC团聚粉体的制备方法,以克服以 上缺点,满足涂层制备需求。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种利用氧乙炔燃流制备氧化物原位包覆ZrB2-SiC 团聚粉体的方法,先采用喷雾造粒和感应等离子球化工艺制备ZrB2-SiC团聚粉 体,再经过氧乙炔燃流氧化处理使ZrB2-SiC团聚粉体在表面自氧化形成氧化物 壳层,得到具有明显核壳结构的氧化物包覆ZrB2-SiC团聚粉体,该团聚粉体球 形度高以及致密度良好,满足等离子喷涂对于粉体的要求;同时,在等离子喷 涂过程中,氧化物包覆层能抑制碳化硅的挥发,降低碳化硅的损失,而且氧化 物的熔点低于硼化锆,粉体可以熔融的更加充分,进一步填充涂层中片层搭接 造成的间隙、空位等缺陷,提高涂层的致密性。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
利用氧乙炔燃流制备氧化物原位包覆ZrB2-SiC团聚粉体的方法,所述方法 步骤如下:
步骤1.将ZrB2、SiC、PVA(聚乙烯醇)以及无水乙醇混合均匀,得到悬 浊液;
所述悬浊液中,粘结剂PVA的质量百分数为0.25%~0.54%,ZrB2和SiC的 质量百分数之和为40%~65%,ZrB2与SiC的质量比为3~5:1;
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