[发明专利]法拉第屏罩、半导体处理设备及刻蚀设备

说明书

提供一种法拉第屏罩、半导体处理设备及刻蚀设备。所述法拉第屏罩包括多个导电片及间隔件，所述间隔件插设在所述多个导电片中的相邻两者之间以将所述多个导电片中的所述相邻两者彼此电隔离。所述多个导电片分开排列在彼此旁边并沿着所述法拉第屏罩的圆周取向。线圈缠绕在所述法拉第屏罩的所述圆周周围。

技术领域

本发明的实施例是涉及一种用于产生等离子体的半导体处理设备，特别是涉及一种法拉第屏罩与包含法拉第屏罩的半导体处理设备及刻蚀设备。

背景技术

等离子体技术广泛应用于半导体制造工艺中。举例来说，等离子体刻蚀是一种通常用于选择性处理、形成精细间距图案、光刻胶剥除等的刻蚀技术。在等离子体刻蚀系统中可以利用射频(radio frequency，RF)线圈来供应等离子体生成功率(plasma-creatingpower)并且在等离子体刻蚀系统中产生的等离子体可与目标(例如晶片、覆盖在晶片上方的任何层等)的表面反应以生成被移除的副产物，从而产生目标的经刻蚀的表面。随着半导体装置的按比例缩小，集成电路制造的复杂性增加。尽管现有的技术已经足以达到其预期目的，但所述技术并不是在所有方面都令人满意。

发明内容

根据一些实施例，一种法拉第屏罩包括多个导电片以及间隔件，多个导电片分开排列在彼此旁边并沿着所述法拉第屏罩的圆周取向并且线圈缠绕在所述法拉第屏罩的所述圆周周围，间隔件插设在所述多个导电片中的相邻两者之间，以将所述多个导电片中的所述相邻两者彼此电隔离。

根据一些实施例，一种半导体处理设备包括等离子体产生室、线圈及屏罩，等离子体产生室适于在其中产生等离子体，线圈环绕所述等离子体产生室并耦合到电源，屏罩插设在所述线圈与所述等离子体产生室之间并且包括沿着所述等离子体产生室的外壁不连续排列的多个导电片。

根据一些实施例，一种刻蚀设备包括等离子体产生室、处理室、屏罩及线圈，等离子体产生室适于在其中产生等离子体，处理室设置在所述等离子体产生室下方并适于处理半导体工件，屏罩设置在所述等离子体产生室的外壁上并且包括沿着所述等离子体产生室的所述外壁彼此平行排列的多个导电片，线圈缠绕在所述屏罩的所述多个导电片周围，并耦合到电源以供应等离子体生成功率。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是示出根据本公开一些实施例的半导体处理设备的示意性剖视图。

图2是示出根据本公开一些实施例装有屏罩的状态的示意性立体图。

图3A是示出根据本公开一些实施例的半导体处理设备的屏罩的示意性立体图。

图3B是示出根据本公开一些实施例的屏罩的导电片的示意性放大图。

图4是示出根据本公开一些实施例的在图3A中概述的虚线框的示意性放大图。

图5是示出根据本公开一些实施例的半导体处理设备的屏罩及线圈的示意性俯视图。

图6是示出根据本公开一些实施例的半导体处理设备的屏罩的示意性立体图。

图7是示出根据本公开一些实施例的组装前的包括壳体及区块的屏罩的示意图。

图8是示出根据本公开一些实施例的半导体处理设备的屏罩的示意性立体图。

图9是示出根据本公开一些实施例的半导体处理设备的屏罩的示意性立体图。

图10是示出根据本公开一些实施例的半导体处理设备的屏罩的示意性立体图。

具体实施方式