[发明专利]集成电路器件和制造其的方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

导电图案，在衬底上在平行于所述衬底的表面的水平方向上延伸；

绝缘层，在所述衬底上在所述水平方向上延伸、在垂直于所述衬底的所述表面的垂直方向上与所述导电图案相邻并且平行于所述导电图案；

沟道层，在穿透所述导电图案和所述绝缘层的沟道孔中在所述垂直方向上延伸；

电荷存储图案，在所述导电图案与所述沟道层之间在所述沟道孔内部；以及

虚设电荷存储图案，在所述绝缘层与所述沟道层之间在所述沟道孔内部，所述虚设电荷存储图案与所述电荷存储图案分开。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

第一阻挡电介质图案，在所述导电图案与所述电荷存储图案之间；以及

第二阻挡电介质图案，具有在所述导电图案与所述绝缘层之间的第一部分、在所述第一阻挡电介质图案与所述绝缘层之间的第二部分以及在所述电荷存储图案与所述虚设电荷存储图案之间的第三部分，

其中所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分一体地连接。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中

所述第二阻挡电介质图案的所述第三部分具有在所述电荷存储图案与所述虚设电荷存储图案之间的气隙。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

阻挡电介质图案，与所述沟道层间隔开且在其间具有所述电荷存储图案，其中

所述电荷存储图案的面对所述导电图案的侧壁比所述虚设电荷存储图案的面对所述绝缘层的侧壁更靠近所述沟道层，以及

所述阻挡电介质图案具有比所述绝缘层朝向所述沟道层突出更多的侧壁。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

阻挡电介质图案，与所述沟道层间隔开且在其间具有所述电荷存储图案，

其中所述阻挡电介质图案具有与所述电荷存储图案的面对所述导电图案的侧壁接触的凹侧壁。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

第一阻挡电介质图案，在所述导电图案与所述电荷存储图案之间；

第二阻挡电介质图案，具有在所述导电图案与所述绝缘层之间的第一部分、在所述第一阻挡电介质图案与所述绝缘层之间的第二部分以及在所述电荷存储图案与所述虚设电荷存储图案之间的第三部分；以及

第三阻挡电介质图案，与所述第一阻挡电介质图案和所述绝缘层间隔开且其间具有所述第二阻挡电介质图案，所述第三阻挡电介质图案围绕所述导电图案的一部分，

其中所述第一阻挡电介质图案包括硅氧化物层，以及

所述第二阻挡电介质图案和所述第三阻挡电介质图案中的每个包括硅氧化物层、高k电介质层或硅氧化物层和高k电介质层的组合。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

阻挡电介质图案，包括第一图案部分和第二图案部分，所述第一图案部分接触所述电荷存储图案的面对所述导电图案的侧壁，所述第二图案部分在所述电荷存储图案与所述虚设电荷存储图案之间的空间中接触所述电荷存储图案和所述虚设电荷存储图案，所述第二图案部分围绕所述导电图案的一部分，

其中所述阻挡电介质图案的所述第一图案部分和所述第二图案部分彼此连接且在其间没有可见界面。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

阻挡电介质图案，接触所述电荷存储图案和所述虚设电荷存储图案，并且围绕所述导电图案的一部分，

其中所述阻挡电介质图案包括：

第一阻挡电介质图案，接触所述电荷存储图案并且与所述导电图案和所述虚设电荷存储图案间隔开；以及

第二阻挡电介质图案，包括与所述电荷存储图案和所述虚设电荷存储图案接触的部分以及插置在所述第一阻挡电介质图案与所述导电图案之间的部分。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

隧穿电介质层，在所述电荷存储图案与所述沟道层之间以及在所述虚设电荷存储图案与所述沟道层之间，所述隧穿电介质层在所述沟道层延伸的方向上延伸。