[发明专利]半导体装置

说明书

在半导体装置中优选能够抑制电压和电流中的振荡和噪声的发生。本发明提供一种半导体装置，包括：多个电路部；以及由板状的导电材料形成并连接于任一个电路部的第一连接部和第二连接部，第一连接部和第二连接部的各个主面相对而配置，第一连接部和第二连接部分别具有与电路部连接的电路连接端部和对主面的电流路径进行限制的路径限制部，在路径限制部和电路连接端部之间的电流路径流通的电流的方向在第一连接部和第二连接部不同。在路径限制部与电路连接端部之间的电流路径流通的电流的方向优选在第一连接部和第二连接部相反。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，已知具有多个半导体芯片，并在多个半导体芯片中的各个半导体芯片流通电流的半导体装置(例如，参照专利文献1和2)。

专利文献1：WO2014/122877号

专利文献2：WO2014/192118号

发明内容

发明所要解决的技术问题

在半导体装置中，期望能够抑制电压和电流中的振荡和噪声的产生。

解决技术问题所采用的技术方案

在本发明的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置可以具备多个电路部。半导体装置可以具备第一连接部和第二连接部，该第一连接部和该第二连接部由板状的导电材料形成并连接于任一个电路部。第一连接部和第二连接部的各个主面可以相对而配置。第一连接部和第二连接部可以分别具有与电路部连接的电路连接端部、和对主面的电流路径进行限制的路径限制部。在路径限制部与电路连接端部之间的电流路径流通的电流的方向在第一连接部和第二连接部可以不同。

在路径限制部与电路连接端部之间的电流路径流通的电流的方向在第一连接部和第二连接部可以相反。

第一连接部和第二连接部可以分别以至少一部分的电流围绕路径限制部的周围的方式配置电路连接端部和路径限制部，电流围绕路径限制部的周围的方向在第一连接部和第二连接部可以相反。

第一连接部和第二连接部的各个主面可以平行地配置。

第一连接部和第二连接部可以具有在与主面正交的方向上重叠的重叠区域。第一连接部和第二连接部的路径限制部可以具有沿第一方向延伸的一条以上的第一狭缝。在重叠区域，设置在第一连接部的第一狭缝的条数和设置在第二连接部的第一狭缝的条数可以相同。

第一连接部和第二连接部的路径限制部可以具有沿与第一方向不同的第二方向延伸的一条以上的第二狭缝。在重叠区域，设置在第一连接部的第二狭缝的条数和设置在第二连接部的第二狭缝的条数可以相同。

第一连接部的上端和第二连接部的上端可以配置在相同的高度。在重叠区域，设置在第一连接部的第一狭缝和设置在第二连接部的第一狭缝可以配置在相同的高度。

可以将第一连接部的上端配置在比第二连接部的上端要高的位置。在重叠区域，可以将设置在第一连接部的第一狭缝配置在比设置在第二连接部的第一狭缝要高的位置。

第一连接部的第一狭缝的宽度和第二连接部的第一狭缝的宽度可以不同。

第一连接部的厚度可以大于第二连接部的厚度。第一连接部的第一狭缝的宽度可以大于第二连接部的第一狭缝的宽度。

在第一连接部流通的电流可以大于在第二连接部流通的电流，第一连接部的第一狭缝的宽度可以大于第二连接部的第一狭缝的宽度。

半导体装置可以具备第三连接部，该第三连接部由板状的导电材料形成并连接于任一个电路部。第一连接部可以与第二连接部的第一主面相对而配置。第三连接部可以与第二连接部的第一主面相对而配置。第三连接部可以具有电路连接端部和路径限制部。在路径限制部与电路连接端部之间的电流路径流通的电流的方向在第三连接部和第二连接部可以不同。