[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

多个电路部；以及

第一连接部和第二连接部，该第一连接部和该第二连接部由板状的导电材料形成并连接于任一个电路部，

所述第一连接部和所述第二连接部各自的主面相对而配置，

所述第一连接部和所述第二连接部分别具有：

电路连接端部，该电路连接端部连接于所述电路部；以及

路径限制部，该路径限制部限制所述主面的电流路径，

在所述路径限制部与所述电路连接端部之间的所述电流路径流通的电流的方向在所述第一连接部和所述第二连接部不同。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述路径限制部与所述电路连接端部之间的所述电流路径流通的电流的方向在所述第一连接部和所述第二连接部相反。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一连接部和所述第二连接部分别以至少一部分的电流围绕所述路径限制部的周围的方式配置所述电路连接端部和所述路径限制部，

电流围绕所述路径限制部的周围的方向在所述第一连接部和所述第二连接部相反。

4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一连接部和所述第二连接部各自的主面平行地配置。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一连接部和所述第二连接部具有在与所述主面正交的方向上重叠的重叠区域，

所述第一连接部和所述第二连接部的所述路径限制部具有沿第一方向延伸的一条以上的第一狭缝，

在所述重叠区域，设置在所述第一连接部的所述第一狭缝的条数和设置在所述第二连接部的所述第一狭缝的条数相同。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一连接部和所述第二连接部的所述路径限制部具有沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的一条以上的第二狭缝，

在所述重叠区域，设置在所述第一连接部的所述第二狭缝的条数和设置在所述第二连接部的所述第二狭缝的条数相同。

7.如权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一连接部的上端和所述第二连接部的上端配置在相同的高度，

在所述重叠区域，将设置在所述第一连接部的所述第一狭缝和设置在所述第二连接部的所述第一狭缝配置在相同的高度。

8.如权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

将所述第一连接部的上端配置在比所述第二连接部的上端要高的位置，

在所述重叠区域，将设置在所述第一连接部的所述第一狭缝配置在比设置在所述第二连接部的所述第一狭缝要高的位置。

9.如权利要求5至8的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一连接部的所述第一狭缝的宽度与所述第二连接部的所述第一狭缝的宽度不同。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一连接部的厚度大于所述第二连接部的厚度，

所述第一连接部的所述第一狭缝的宽度大于所述第二连接部的所述第一狭缝的宽度。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一连接部流通的电流大于在所述第二连接部流通的电流，

所述第一连接部的所述第一狭缝的宽度大于所述第二连接部的所述第一狭缝的宽度。