[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

鳍部，位于所述衬底上；

隔离结构，位于所述衬底上，覆盖所述鳍部的部分侧壁且顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；

栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部；

导电层，位于所述栅极结构的两侧；

初始第一硬掩膜层，位于所述栅极结构的端部的顶部表面；

第二硬掩膜层，位于所述栅极结构的中心两侧的所述导电层的顶部表面；

介质层，所述初始第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层上；

第一通孔，位于所述介质层内，底部暴露出所述栅极结构的中心表面；

第二通孔，位于所述介质层内，底部暴露出所述栅极结构的端部一侧的所述导电层的顶部表面；

第一接触层，位于所述第一通孔内；

第二接触层，位于所述第二通孔内。

2.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

鳍部，位于所述衬底上；

隔离结构，位于所述衬底上，覆盖所述鳍部的部分侧壁且顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；

栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部；

导电层，位于所述栅极结构的两侧；

第一硬掩膜层，位于所述栅极结构的端部的顶部表面；

初始第二硬掩膜层，位于所述栅极结构的中心两侧的所述导电层的顶部表面以及所述栅极结构的端部的一侧的所述导电层的顶部表面；

介质层，所述第一硬掩膜层和初始第二硬掩膜层上；

第一通孔，位于所述介质层内，底部暴露出所述栅极结构的中心顶部表面；

第二通孔，位于所述介质层内，底部暴露出所述栅极结构的端部另一侧的所述导电层的顶部表面；

第一接触层，位于所述第一通孔内；

第二接触层，位于所述第二通孔内。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构的中心位于所述栅极结构的中心线处，或者所述栅极结构的中心位于距离所述栅极结构的中心线0nm至5nm处，所述中心线为沿着平行于所述鳍部延伸方向上的所述栅极结构的对称中心线。

4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的介电常数小于2.5。

5.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构的顶部表面与所述导电层的顶部表面非齐平。

6.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的导电层；

在所述栅极结构和所述导电层上形成介质层；

刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔的底部暴露出所述栅极结构的中心的顶部表面，所述第二通孔的底部暴露出所述栅极结构的端部一侧的所述导电层的顶部表面。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第二通孔内形成第二接触层。

8.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第一通孔内形成第一接触层。

9.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述介质层的介电常数小于2.5。

10.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第一栅极结构和所述导电层上形成介质层之前，还包括：在所述栅极结构的中心两侧的所述导电层的顶部形成第二硬掩膜层。

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述栅极结构的端部顶部形成第一硬掩膜层。