[发明专利]半导体封装件

说明书

本发明公开了一种半导体封装件，包括第一半导体晶圆、第一基板、第二半导体晶圆以及第二基板。第一基板设置于第一半导体晶圆上。第一基板包括多个第一金属线层彼此垂直地间隔开，且每一个第一金属线层电性连接至接地源以及不同类型的电源的其中一个。第二半导体晶圆设置于第一基板上。第二基板设置于第二半导体晶圆上。第二基板包括多个第二金属线层彼此垂直地间隔开，且每一个第二金属线层电性连接至接地源以及不同类型的电源的其中一个。基于上述配置，可避免引起半导体封装件中的瞬间电压降的大电阻，且当即使需要瞬间大电流时，来自外部电子装置的电源供给仍可被稳定地提供至半导体封装件中。

技术领域

本发明内容是有关于一种半导体封装件。

背景技术

双芯片封装(dual-die packaging)技术被广泛地应用于将两个集成电路芯片封装于单一封装模块中，使得单一封装模块能够提供双倍的功能或数据存储容量。如动态随机存取存储(dynamic random access memory，DRAM)芯片的存储芯片通常以此方式封装，以允许单一封装模块提供双倍的功能或数据存储容量。近年来，各种双芯片封装技术已被开发及利用于半导体产业中。

一般而言，DRAM芯片的运作通常需要接地源及多个电源，且金线及重分布层常被用以在电源/接地源与DRAM芯片之间传输电流。然而，当DRAM芯片于操作过程中(例如，高频率操作过程中)需要瞬间大电流时，在高频率操作下的金线会形成大的电阻，从而限制瞬间大电流的传输。如此一来，在DRAM芯片中将产生瞬间电压降，并最终导致芯片的误操作。因此，期望开发出一种具有改善的功能性的半导体装置以克服上述问题。

发明内容

本发明目的是有关于一种半导体封装件，其能够避免引起半导体封装件中的瞬间电压降的大电阻，且当即使需要瞬间大电流时，来自外部电子装置的电源供给仍可被稳定地提供至半导体封装件中。

根据本发明一些实施方式，半导体封装件可包括第一半导体晶圆、第一基板、第二半导体晶圆以及第二基板。第一基板设置于第一半导体晶圆上。第一基板包括多个第一金属线层彼此垂直地间隔开，且每一个第一金属线层电性连接至接地源以及不同类型的电源的其中一个。第二半导体晶圆设置于第一基板上。第二基板设置于第二半导体晶圆上。第二基板包括多个第二金属线层彼此垂直地间隔开，且每一个第二金属线层电性连接至接地源以及不同类型的电源的其中一个。

在本发明一些实施方式中，半导体封装件还包括多个导线，将第一半导体晶圆连接至第一金属线层。

在本发明一些实施方式中，半导体封装件还包括多个导线，将第二半导体晶圆连接至第二金属线层。

在本发明一些实施方式中，半导体封装件还包括多个导线，分别将多个第一金属线层连接至接地源及不同类型的电源的其中一个。

在本发明一些实施方式中，半导体封装件还包括多个导线，分别将多个第二金属线层连接至接地源及不同类型的电源的其中一个。

在本发明一些实施方式中，半导体封装件还包括多个第一重分布层，垂直地设置于第一半导体晶圆与第一基板之间。

在本发明一些实施方式中，半导体封装件还包括至少一个导线，将第一重分布层的至少一个连接至信号源。

在本发明一些实施方式中，半导体封装件还包括多个导电垫，水平地相邻于第一重分布层，其中导电垫的至少一个接触第一重分布层的至少一个。

在本发明一些实施方式中，半导体封装件还包括多个第二重分布层，垂直地设置于第二半导体晶圆与第二基板之间。

在本发明一些实施方式中，半导体封装件还包括至少一个导线，将第二重分布层的至少一个连接至信号源。

在本发明一些实施方式中，半导体封装件还包括多个导电垫，水平地相邻于第二重分布层，其中导电垫的至少一个接触第二重分布层的至少一个。