[发明专利]一种半导体封装工艺

说明书

本发明涉及半导体封装的技术领域，特别是涉及一种半导体封装工艺，具有良品率高，生产效率高，并且节省电能以及原材料的优点；包括以下步骤：S1、通过冲压成型方式，形成半导体引线框架；S2、对半导体引线框架表面进行镀锡镀镍特殊表层处理；S3、在半导体引线框架表面均匀制作焊盘；S4、通过注塑方式在半导体引线框架边缘区域形成塑胶框架；S5、将芯片贴在半导体引线框架的中部；S6、焊线焊接；S7、滴胶盖帽：使用点胶机将改性环氧树脂分子滴在芯片处，使胶将芯片、焊线以及焊盘覆盖住，然后进行冷却；S8、打标、测试后封管。

技术领域

本发明涉及半导体封装的技术领域，特别是涉及一种半导体封装工艺。

背景技术

众所周知，目前半导体传感芯片引线框架表面处理采用镀银镀金工艺，具有以下缺点：一是氰化物在电镀工艺中起到络合的作用，使之在阴极得到电子沉积下来，有氰化物络合使镀层细密光滑，成品质量较高，氰化物和目标金属离子形成的络合物在阴极附近聚集，形成阴极极化的效果，阴极极化程度越高越好，传统引线框架表面处理采用镀银镀金氰化电镀工艺，氰化物在生产过程中所产生的废气可危害生命，氰化物有固废，废液，废气等，国家环保提倡电镀工艺为微氰电镀及无氰电镀，固废和液废都非常难收回；二是金线成本高，辅材投入大，半导体封装后端设备投入巨大，模压效率低。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体封装工艺，具有良品率高，生产效率高，并且节省电能以及原材料的优点。

本发明的一种半导体封装工艺，包括以下步骤：

S1、通过冲压成型方式，形成半导体引线框架；

S2、对半导体引线框架表面进行镀锡镀镍特殊表层处理；

S3、在半导体引线框架表面均匀制作焊盘；

S4、通过注塑方式在半导体引线框架边缘区域形成塑胶框架；

S5、将芯片贴在半导体引线框架的中部；

S6、焊线焊接；

S7、滴胶盖帽：使用点胶机将改性环氧树脂分子滴在芯片处，使胶将芯片、焊线以及焊盘覆盖住，然后进行冷却；

S8、打标、测试后封管。

本发明的一种半导体封装工艺，所述步骤S6以及S7中焊线以纯金为基础，添加合金，并加入多种微量元素。

本发明的一种半导体封装工艺，所述步骤S7中改性环氧树脂分子内部添加凝固催化剂，并且滴胶处于负压环境下。

本发明的一种半导体封装工艺，所述步骤S2中镀锡采用甲基磺酸锡工艺，镀镍采用氨基磺酸镍工艺。

与现有技术相比本发明的有益效果为：第一、新工艺采用镀锡镀镍，甲基磺酸锡、氨基磺酸镍工艺不需要氰化物络合，属于无氰电镀工艺，镀锡：增进焊接能力，镀镍：增进抗蚀能力及耐磨能力；第二、通过对环氧树脂分子改性，其冲击强度、拉伸度、耐温、搞疲劳等等提高，并掺入凝固催化剂抽真空，使整体工艺时间缩短，点胶成形，固化后形成完整平面，后段直接打标、测试封管，节省后段模压设备投入及其工艺时间和能源损耗；第三、新型焊线在纯金材料的基础上采用多元掺杂合金，加入多种微量稀有金属元素，减少金属化合物的形成，同时阻止界面氧化物和断裂的产生，降低了结合性能的退化，达到传统性能同样的稳定性。键合为降低电力损耗，新型焊线具有较高的相对导电性和良好的受电性，提高抗拉强度，抗软化温度，贯通晶圆片的互连，它通过直接钻过裸电绑定焊盘，为连接绑定焊盘提供了最短的路径，然后把导电材料与通孔连接起来，允许焊球从裸片绑定焊盘被重新分布，以满足裸片边缘标准和定制球形的要求。

具体实施方式

下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。