[发明专利]一种半导体封装工艺在审
申请号: | 202010866703.8 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN112002646A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 刘明平 | 申请(专利权)人: | 湖南方彦半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/495 |
代理公司: | 深圳知帮办专利代理有限公司 44682 | 代理人: | 李赜 |
地址: | 416000 湖南省湘西土家族*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 封装 工艺 | ||
1.一种半导体封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、通过冲压成型方式,形成半导体引线框架;
S2、对半导体引线框架表面进行镀锡镀镍特殊表层处理;
S3、在半导体引线框架表面均匀制作焊盘;
S4、通过注塑方式在半导体引线框架边缘区域形成塑胶框架;
S5、将芯片贴在半导体引线框架的中部;
S6、焊线焊接;
S7、滴胶盖帽:使用点胶机将改性环氧树脂分子滴在芯片处,使胶将芯片、焊线以及焊盘覆盖住,然后进行冷却;
S8、打标、测试后封管。
2.如权利要求1所述的一种半导体封装工艺,其特征在于,所述步骤S6以及S7中焊线以纯金为基础,添加合金,并加入多种微量元素。
3.如权利要求2所述的一种半导体封装工艺,其特征在于,所述步骤S7中改性环氧树脂分子内部添加凝固催化剂,并且滴胶处于负压环境下。
4.如权利要求3所述的一种半导体封装工艺,其特征在于,所述步骤S2中镀锡采用甲基磺酸锡工艺,镀镍采用氨基磺酸镍工艺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造