[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有多个堆叠栅极，各个堆叠栅极的上方依次形成有氮化硅掩膜层和氧化硅掩膜层；

沉积含碳的第一氧化硅薄层，所述第一氧化硅薄层覆盖所述衬底、所述堆叠栅极及其上方的氮化硅掩膜层和氧化硅掩膜层；

在所述第一氧化硅薄层的表面沉积非含碳的第二氧化硅层，所述第二氧化硅层填满多个堆叠栅极之间的间隙；

以所述氮化硅掩模层的顶表面为停止层，采用化学机械研磨工艺平坦化所述第一氧化硅薄层和所述第二氧化硅层以去除所述氧化硅掩膜层；以及

去除所述第二氧化硅层，保留所述堆叠栅极侧壁的第一氧化硅薄层为所述堆叠栅极的第一侧墙。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述第二氧化硅层进一步包括：

采用对含碳的氧化硅和非含碳的氧化硅具有高选择比的试剂对所述第二氧化硅层进行刻蚀。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述试剂为稀释后的氢氟酸。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所保留的第一氧化硅薄层的侧表面以及所述氮化硅掩模层的上表面沉积含碳的第三氧化硅薄层；

在所述第三氧化硅薄层的表面沉积氮化硅层；以及

以所述第三氧化硅薄层的顶表面为停止层去除所述堆叠栅极上方的氮化硅层，保留所述堆叠栅极两侧的氮化硅层为所述堆叠栅极的第二侧墙。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述堆叠栅极包括：由下至上依次形成在所述衬底上方的浮栅膜层、层间介质层和控制栅膜层。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述层间介质层为氧化硅-氮化硅-氧化硅层。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底上表面还形成有栅极介电层，所述堆叠栅极形成在所述栅极介电层的上表面。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述堆叠栅极进一步分为：

存储区域的存储晶体管的第一堆叠栅极；

存储区域的选择晶体管的第二堆叠栅极；以及

外围区域的外围晶体管的第三堆叠栅极；其中

所述第一堆叠栅极、第二堆叠栅极、第三堆叠栅极具有相同的高度，所述第一堆叠栅极的宽度小于所述第二堆叠栅极、所述第三堆叠栅极的宽度。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一堆叠栅极上方的氧化硅掩膜层的厚度小于所述第二堆叠栅极和所述第三堆叠栅极上方的氧化硅掩膜层的厚度。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件由权利要求1-9中任意一项所述的制造方法制造。