[发明专利]半导体元件及其制备方法

说明书

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一本质导电垫、一应力释放结构以及一外部接合结构；该本质导电垫位于该基底上；该应力释放结构位于该基底上，并远离该本质导电垫设置；该外部接合结构直接位于该应力释放结构上。

技术领域

本公开主张2019年10月28日申请的美国正式申请案第16/665,813号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

半导体元件是使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸是逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的工艺期间，是增加不同的问题，且影响到最终电子特性、品质以及良率。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率以及可靠度方面的挑战。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括：一基底；一本质导电垫，位于该基底上；一应力释放结构，位于该基底上，并远离该本质导电垫设置；以及一外部接合结构，直接位于该应力释放结构上。

在本公开的一些实施例中，该应力释放结构包括一导电架以及多个隔离区段，该多个隔离区段位于该导电架内。

在本公开的一些实施例中，每一隔离区段具有一正方形形状，且所述多个隔离区段相互间隔设置。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括多个字元线，位于该基底中并沿一第一方向延伸，其中每一隔离区段具有一矩形形状，并沿一第二方向延伸，该第二方向垂直于该第一方向。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括多个字元线，位于该基底中并沿一第一方向延伸，其中每一隔离区段具有一矩形形状，并沿一第二方向延伸，该第二方向相对于该第一方向成对角线。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括一重分布导电层，位于该应力释放结构与该本质导电垫上。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括一应力缓冲层，位于该外部接合结构下，其中该应力缓冲层由一材料所制，该材料具有一热膨胀系数以及一杨氏模量，该热膨胀系数小于约20ppm/℃，而该杨氏模量小于约15GPa。

在本公开的一些实施例中，该外部接合结构包括一下接合层以及一上接合层，该下接合层直接位于该应力释放结构上，该上接合层位于该下接合层上。

在本公开的一些实施例中，该外部接合结构包括一下接合层、一中间接合层以及一上接合层，该下接合层直接位于该应力释放结构上，该中间接合层位于该下接合层上，而该上接合层位于该中间接合层上。

在本公开的一些实施例中，该外部接合结构的一宽度小于该应力释放结构的一宽度。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括一导线层(wiring layer)，位于该外部接合结构上。

在本公开的一些实施例中，该导线层的一宽度小于该外部接合结构的一宽度。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括二间隙子，邻近该外部接合结构的两侧设置。

本公开的另一实施例提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；形成一本质导电垫在该基底上；以及形成一应力释放结构在该基底上，并远离该本质导电垫设置。

在本公开的一些实施例中，形成该应力释放结构在该基底上，并远离该本质导电垫设置的步骤，包括：形成一导电架在该基底上；以及形成多个隔离区段在该导电架内。