[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底；

一本质导电垫，位于该基底上；

一应力释放结构，位于该基底上，并远离该本质导电垫设置；以及

一外部接合结构，直接位于该应力释放结构上。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该应力释放结构包括一导电架以及多个隔离区段，该多个隔离区段位于该导电架内。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中每一隔离区段具有一正方形形状，且所述多个隔离区段相互间隔设置。

4.如权利要求2所述的半导体元件，还包括多个字元线，位于该基底中并沿一第一方向延伸，其中每一隔离区段具有一矩形形状，并沿一第二方向延伸，该第二方向垂直于该第一方向。

5.如权利要求2所述的半导体元件，还包括多个字元线，位于该基底中并沿一第一方向延伸，其中每一隔离区段具有一矩形形状，并沿一第二方向延伸，该第二方向相对于该第一方向成对角线。

6.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一重分布导电层，位于该应力释放结构与该本质导电垫上。

7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括一应力缓冲层，位于该外部接合结构下，其中该应力缓冲层由一材料所制，该材料具有一热膨胀系数以及一杨氏模量，该热膨胀系数小于约20ppm/℃，而该杨氏模量小于约15GPa。

8.如权利要求2所述的半导体元件，其中该外部接合结构包括一下接合层以及一上接合层，该下接合层直接位于该应力释放结构上，该上接合层位于该下接合层上。

9.如权利要求2所述的半导体元件，其中该外部接合结构包括一下接合层、一中间接合层以及一上接合层，该下接合层直接位于该应力释放结构上，该中间接合层位于该下接合层上，而该上接合层位于该中间接合层上。

10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该外部接合结构的一宽度小于该应力释放结构的一宽度。

11.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一导线层，位于该外部接合结构上。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该导线层的一宽度小于该外部接合结构的一宽度。

13.如权利要求8所述的半导体元件，还包括二间隙子，邻近该外部接合结构的两侧设置。

14.一种半导体元件的制备方法，包括：

提供一基底；

形成一本质导电垫在该基底上；以及

形成一应力释放结构在该基底上，并远离该本质导电垫设置。

15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中形成该应力释放结构在该基底上，并远离该本质导电垫设置的步骤，包括：

形成一导电架在该基底上；以及

形成多个隔离区段在该导电架内。

16.如权利要求15所述的半导体元件的制备方法，还包括：形成一重分布导电层在该本质导电垫与该应力释放结构上。

17.如权利要求16所述的半导体元件的制备方法，还包括：形成多个钝化层在该重分布导电层上，以及形成一第一垫开口在该多个钝化层中。

18.如权利要求17所述的半导体元件的制备方法，还包括：执行一钝化工艺，包括以一前驱物浸渍该第一垫开口，其中该前驱物为三甲硅基二甲胺或四甲基硅烷。