[发明专利]半导体封装在审
| 申请号: | 202010861476.X | 申请日: | 2020-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN112435968A | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
| 发明(设计)人: | 金泳龙;俞泰元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 马晓蒙;张波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,包括:
封装基板;
在所述封装基板的顶表面上的半导体芯片;
在所述封装基板与所述半导体芯片之间的连接端子,所述连接端子将所述封装基板连接到所述半导体芯片;
在所述封装基板与所述半导体芯片之间的非导电膜,所述非导电膜围绕所述连接端子并且将所述半导体芯片接合到所述封装基板;以及
侧包封材料,覆盖所述半导体芯片的侧表面、接触所述封装基板并且包括在所述半导体芯片的底表面与所述封装基板的所述顶表面之间的第一部分,
其中所述非导电膜包括当从上方观察时从所述半导体芯片水平突出的第二部分,并且所述侧包封材料与所述半导体芯片的所述底表面的一部分接触。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述侧包封材料具有与所述非导电膜不同的填料质量含量。
3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述侧包封材料具有比所述非导电膜高的填料质量含量。
4.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述侧包封材料具有在40wt%与90wt%之间的填料质量含量。
5.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述非导电膜具有在30wt%与60wt%之间的填料质量含量。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述非导电膜是透明的。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述侧包封材料具有比所述非导电膜高的杨氏模量。
8.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述侧包封材料包括液态树脂。
9.一种半导体封装,包括:
印刷电路板,包括基板基底、在所述基板基底的顶表面上的第一焊盘、覆盖所述基板基底的所述顶表面并且暴露所述第一焊盘的至少一部分的第一阻焊层、在所述基板基底的底表面上的第二焊盘以及覆盖所述基板基底的所述底表面并且暴露所述第二焊盘的至少一部分的第二阻焊层;
半导体芯片,在所述印刷电路板的所述顶表面上,所述半导体芯片具有从顶视图看的四边形形状;
连接端子,在所述印刷电路板与所述半导体芯片之间,所述连接端子包括接触所述第一焊盘的第一凸块下金属化层和接触所述第一凸块下金属化层的第一焊料;
外部连接端子,包括接触所述第二焊盘的第二凸块下金属化层和接触所述第二凸块下金属化层的第二焊料,所述外部连接端子大于所述连接端子;
非导电膜,在所述印刷电路板与所述半导体芯片之间的空间的仅一部分中,所述非导电膜围绕所述连接端子并且将所述印刷电路板接合到所述半导体芯片;以及
侧包封材料,在所述半导体芯片的底表面与所述印刷电路板的所述顶表面之间,所述侧包封材料覆盖所述半导体芯片的侧表面并且接触所述印刷电路板。
10.根据权利要求9所述的半导体封装,其中所述印刷电路板与所述半导体芯片之间的所述空间被所述非导电膜、所述侧包封材料和所述连接端子完全填充。
11.根据权利要求9所述的半导体封装,其中从顶视图看的所述非导电膜的形状不同于从顶视图看的所述半导体芯片的所述形状。
12.根据权利要求9所述的半导体封装,其中从顶视图看的所述非导电膜的轮廓线包括曲线部分。
13.根据权利要求9所述的半导体封装,其中当从上方观察时,所述非导电膜在横向方向上从所述半导体芯片突出。
14.根据权利要求9所述的半导体封装,其中所述非导电膜不在与所述半导体芯片的所述四边形形状的四个拐角中的至少一个对应的第一拐角之下。
15.根据权利要求14所述的半导体封装,其中所述侧包封材料在所述第一拐角之下。
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