[发明专利]用于处理基板的装置和方法在审
申请号: | 202010860335.6 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN112420554A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 金俊镐;申景湜;安迎曙;辛辰基;姜湾圭;史允基 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张凯 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种用于处理基板的装置包括:工艺腔室,在所述工艺腔室中具有工艺空间;支承单元,其在所述工艺空间中支承所述基板;加热构件,其加热支承于所述支承单元上的所述基板;和排放单元,其抽排所述工艺空间。所述排放单元包括排放管和热量保持单元,所述热量保持单元具有保持从所述工艺空间释放的热量的保持空间。所述保持空间围绕所述排放管中邻近所述工艺腔室的邻近区域。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年8月23日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2019-0103785的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法。
背景技术
执行诸如清洁、沉积、涂覆、光刻、蚀刻和离子注入等的各种工艺以制造半导体元件。在这些工艺中,沉积工艺和涂覆工艺用于在基板上形成膜。通常,沉积工艺是通过在基板上沉积工艺气体来形成膜的工艺,而涂覆工艺是通过将处理液施用到基板来形成液膜的工艺。
在基板上形成膜之前和之后,在基板上执行烘烤工艺(bake process)。烘烤工艺是在诸如烘烤腔室的密封空间中将基板加热到工艺温度或更高的工艺。在烘烤工艺中,基板的整个区域被均匀地加热,或者基板的各个区域的温度由操作员调节。
烘烤工艺中产生的烟尘(fume)通过连接到烘烤腔室的排放管(exhaust duct)释放,从而释放烘烤腔室中的气氛(atmosphere)。在烟尘流过排放管的情况下,烟尘沉积在排放管的内壁上。特别地,在邻近排放管与烘烤腔室连接的点的区域中,烟尘的沉积量显著增加。
由于沉积在排放管上的烟尘,排放压力无法维持在设定压力,这会导致工艺不良。使用各种方法来防止烟尘沉积在排放管上。然而,这些方法在防止烟尘的沉积方面无效,或者单独消耗了大量的热能。
发明内容
本发明构思的实施方案提供一种用于将排放管维持在高温下的装置和方法。
本发明构思的实施方案提供一种用于防止烟尘在排放管上的沉积的装置和方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题,且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施方案,用于处理基板的装置包括:工艺腔室,在所述工艺腔室中具有工艺空间;支承单元,其在所述工艺空间中支承所述基板;加热构件,其加热支承于所述支承单元上的所述基板;和排放单元(exhaust unit),其抽排(evacuate)所述工艺空间。所述排放单元包括排放管和热量保持单元(heat retention unit),所述热量保持单元具有保持从所述工艺空间释放的热量的保持空间。所述保持空间围绕所述排放管中邻近所述工艺腔室的邻近区域(adjacent area)。
根据一实施方案,所述热量保持单元可以包括由隔热材料形成的壳体,并且在所述壳体中具有所述保持空间。
根据一实施方案,所述排放管可以耦合到所述工艺腔室的上壁,所述壳体可以附接到所述工艺腔室的所述上壁,并且所述邻近区域可以是邻近所述工艺腔室的所述上壁和所述排放管的区域。
根据一实施方案,所述壳体可以包括上壁和从所述上壁向下延伸的环形侧壁,并且所述侧壁可以直接耦合到所述工艺腔室。
根据一实施方案,当从上方观察时,所述壳体可以具有与所述工艺腔室相对应的尺寸。
根据一实施方案,所述热量保持单元还可以包括维持所述壳体的上壁的形状的形状保持构件(shape-retaining member)。
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