[发明专利]微机电式芯片移转装置在审
申请号: | 202010859993.3 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN113921443A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 廖建硕 | 申请(专利权)人: | 歆炽电气技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王红艳 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 芯片 移转 装置 | ||
1.一种微机电式芯片移转装置,其特征在于,所述微机电式芯片移转装置包括:
一承载基板,所述承载基板具有多个第一微通道以及分别对应多个所述第一微通道的多个第二微通道;
一微控制阀模块,所述微控制阀模块包括多个微机电开关;以及
一微加热器模块,所述微加热器模块包括设置在所述承载基板内或者设置在所述承载基板上的多个微加热器,多个所述微加热器分别邻近多个所述第一微通道;
其中,每一所述微机电开关连接于相对应的所述第一微通道与相对应的所述第二微通道之间,以允许或者阻挡相对应的所述第一微通道与相对应的所述第二微通道相互气体连通。
2.根据权利要求1所述的微机电式芯片移转装置,其特征在于,所述承载基板为一半导体材料基板,且所述承载基板具有分别气体连通于多个所述第一微通道的多个芯片吸附开口;其中,多个所述微加热器分别邻近多个所述芯片吸附开口,且多个所述微加热器分别围绕多个所述第一微通道;其中,当多个所述微机电开关被开启而使得多个所述第一微通道分别与多个所述第二微通道相互气体连通时,多个芯片分别通过多个所述芯片吸附开口的吸气而被吸附在所述承载基板上;其中,当多个所述微机电开关被开启而使得多个所述第一微通道分别与多个所述第二微通道相互气体连通时,被吸附在所述承载基板上的多个所述芯片分别通过多个所述芯片吸附开口的排气而从所述承载基板分离;其中,多个所述芯片分别对应地设置在多个所述微加热器的下方,且每一所述芯片为IC芯片或者LED芯片;其中,多个所述微加热器分别通过多个所述芯片而对多个导电焊接材料进行加热,以使得多个所述芯片通过多个所述导电焊接材料而固接在一电路基板上;其中,所述微机电开关为一压电式气阀、一气动式气阀或者一电磁式气阀。
3.根据权利要求1所述的微机电式芯片移转装置,其特征在于,所述微机电式芯片移转装置进一步包括:一供气与抽气模块,所述供气与抽气模块设置在所述承载基板上且气体连通于多个所述第二微通道,以用于将气体通入多个所述第二微通道或者抽离多个所述第二微通道;其中,当多个所述微机电开关被开启而使得多个所述第一微通道分别与多个所述第二微通道相互气体连通时,所述供气与抽气模块将所述气体抽离多个所述第二微通道,以使得多个芯片分别通过多个所述芯片吸附开口的吸气而被吸附在所述承载基板上;其中,当多个所述微机电开关被开启而使得多个所述第一微通道分别与多个所述第二微通道相互气体连通时,所述供气与抽气模块将所述气体通入多个所述第二微通道,以使得被吸附在所述承载基板上的多个所述芯片分别通过多个所述芯片吸附开口的排气而从所述承载基板分离。
4.一种微机电式芯片移转装置,其特征在于,所述微机电式芯片移转装置包括:
一承载基板,所述承载基板具有多个第一微通道、至少一第二微通道以及气体连通于多个所述第一微通道的至少一第三微通道;
一微控制阀模块,所述微控制阀模块包括至少一微机电开关;以及
一微加热器模块,所述微加热器模块包括设置在所述承载基板内或者设置在所述承载基板上的多个微加热器,多个所述微加热器分别邻近多个所述第一微通道;
其中,所述至少一微机电开关连接于所述至少一第二微通道与所述至少一第三微通道之间,以允许或者阻挡所述至少一第二微通道与所述至少一第三微通道相互气体连通。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歆炽电气技术股份有限公司,未经歆炽电气技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010859993.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数据存储方法、存储系统、存储设备及存储介质
- 下一篇:衣领保形体
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造