[发明专利]激光同步剥离晶圆的方法在审

专利信息
申请号: 202010856050.5 申请日: 2020-08-24
公开(公告)号: CN111992903A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 王宏建;赵卫;何自坚;陈湘文;朱建海 申请(专利权)人: 松山湖材料实验室
主分类号: B23K26/38 分类号: B23K26/38;B23K26/402;B23K26/067;B28D5/00
代理公司: 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 代理人: 陈培琼
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 激光 同步 剥离 方法
【权利要求书】:

1.一种激光同步剥离晶圆的方法,其特征在于,其包括如下步骤:

(1)将待加工的晶锭定位固定,移动激光束,使激光束的焦平面位于晶锭内部;

(2)开启激光器,激光束经分光镜分束后,一部分从晶锭的正面入射形成前激光束,另一部分经过反射镜反射从晶锭背面入射形成后激光束;

(3)控制前激光束和后激光束沿其各自的焦平面于晶锭上加工出改质层;

(4)改质层加工完成后,对晶锭的上、下表面施加相应的反向作用力,从晶锭的上、下表面上分别剥离出晶圆。

2.根据权利要求1所述的激光同步剥离晶圆的方法,其特征在于,所述步骤(1)中通过夹具将待加工的晶锭定位固定。

3.根据权利要求1所述的激光同步剥离晶圆的方法,其特征在于,所述步骤(1)中沿晶锭的轴向方向移动激光束,使激光束的焦平面位于晶锭内部。

4.根据权利要求1所述的激光同步剥离晶圆的方法,其特征在于,所述晶锭为硅、碳化硅、蓝宝石或氮化镓。

5.根据权利要求1所述的激光同步剥离晶圆的方法,其特征在于,所述步骤(4)中采用真空吸盘对晶锭的上、下表面进行吸附,同时向远离晶锭方向拉动,从晶锭的上、下表面上分别剥离出晶圆。

6.根据权利要求1所述的激光同步剥离晶圆的方法,其特征在于,所述激光束的脉宽为200fs~10ns,波长为355nm~1064nm,能量为10μJ~300μJ,扫描速度为50mm/s~200mm/s。

7.根据权利要求1所述的激光同步剥离晶圆的方法,其特征在于,所述步骤(4)中通过在线监测装置实时监控改质层是否加工完成,所述在线监测装置包括声发射模块及CCD系统。

8.根据权利要求1所述的激光同步剥离晶圆的方法,其特征在于,所述晶圆的厚度为200μm~600μm。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的激光同步剥离晶圆的方法,其特征在于,从晶锭的上、下表面上剥离出的晶圆的厚度不相同。

10.根据权利要求1-8中任意一项所述的激光同步剥离晶圆的方法,其特征在于,从晶锭的上、下表面上剥离出的晶圆的厚度相同。

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