[发明专利]纹理化键合焊盘

权利要求书

1.一种封装件，其包括：

半导体管芯；

形成在所述半导体管芯上的键合焊盘，所述键合焊盘具有在所述键合焊盘的顶表面上的突起部；

金属接触件；以及

耦合到所述突起部和所述金属接触件的键合线。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中所述突起部包括矩形棱柱。

3.根据权利要求1所述的封装件，其中所述键合焊盘具有在所述键合焊盘的所述顶表面上的多个突起部。

4.根据权利要求3所述的封装件，其中所述多个突起部中的第一突起部定位在所述多个突起部中的第二突起部的顶部上。

5.根据权利要求1所述的封装件，其中所述突起部包括三角形棱柱。

6.根据权利要求1所述的封装件，其中所述突起部是球形的。

7.根据权利要求1所述的封装件，其中所述突起部的厚度在0.01微米至0.1微米之间，包括端值。

8.根据权利要求1所述的封装件，其中所述突起部占据小于所述顶表面的50％。

9.根据权利要求1所述的封装件，其中所述键合焊盘包括：

第一金属层；

在所述第一金属层上的第二金属层；和

在所述第二金属层上的第三金属层，所述第三金属层具有带有所述突起部的所述顶表面。

10.根据权利要求9所述的封装件，其中所述第一金属层包括铜，所述第二金属层包括镍，并且所述第三金属层包括钯。

11.根据权利要求1所述的封装件，其中所述突起部是所述顶表面上的纹理表面的一部分。

12.根据权利要求11所述的封装件，其中所述键合焊盘包括多个金属层。

13.根据权利要求12所述的封装件，其中所述多个金属层包括铜层、钯层以及定位在所述铜层与所述钯层之间的镍层。

14.根据权利要求13所述的封装件，其中所述铜层的厚度在6微米至10微米之间，包括端值。

15.根据权利要求13所述的封装件，其中所述铜层的所述顶表面被化学蚀刻。

16.根据权利要求13所述的封装件，其中所述镍层的厚度在1微米至4微米之间，包括端值。

17.根据权利要求13所述的封装件，其中所述钯层的厚度在0.1微米至0.4微米之间，包括端值。

18.一种制造半导体器件的方法，其包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成键合焊盘，其中形成所述键合焊盘包括：

将金属层定位在所述半导体衬底上；和

化学蚀刻所述金属层的顶表面以形成纹理化顶表面；

提供引线框架的金属接触件；

使用键合线在所述金属接触件与所述金属层的所述纹理化顶表面之间形成电通路；以及

将所述半导体衬底、所述键合焊盘、所述键合线和至少一部分的所述金属接触件包封在保护壳体中。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述金属层包括铜层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述半导体衬底包括铜籽晶层，并且其中将所述铜层定位在所述半导体衬底上包括使用电镀技术和所述铜籽晶层形成所述铜层。