[发明专利]数据存储方法、存储系统、存储设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 202010851132.0 申请日: 2020-08-21
公开(公告)号: CN113918378A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 付克博;陈亮;董如良;吴祥;罗小东 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 颜晶
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 数据 存储 方法 存储系统 设备 介质
【说明书】:

本申请实施例公开了一种数据存储方法、存储系统、存储设备及存储介质,属于数据存储技术领域。在本申请实施例中,第一介质层和第二介质层的性能不同,基于此,在第一介质层和第二介质层中按照不同的纠删码配比来进行数据存储。由于不同的纠删码配比对应的写放大不同,所导致的存储空间利用率也不同,因此,根据介质层的性能的不同选取不同的纠删码配比进行数据存储能够更好的发挥相应介质层的存储性能,有效的提高存储空间利用率。

本申请要求于2020年7月10日提交的申请号为202010661972.0、申请名称为“数据存储方法以及存储设备”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本申请实施例涉及数据存储技术领域,特别涉及一种数据存储方法、存储系统、存储设备及存储介质。

背景技术

在存储系统中,提升有效存储容量是降低存储成本的有力武器,而纠删码(erasure code,EC)技术就能够提升存储系统的有效存储容量。当前,EC技术被广泛的应用于多级介质存储系统中。所谓多级介质存储系统是指包括多种不同性能的存储介质的存储系统。例如,由动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)、存储级内存(storage class memory,SCM)和Nand闪存三种存储介质组成的存储系统,其中,DRAM具有较高的性能和较低的时延,SCM的性能和时延介于DRAM和Nand闪存之间,通常将DRAM和SCM称为高性能介质层,将Nand Flash称为低性能介质层。在诸如此类的多级介质存储系统中,在高性能介质层和低性能介质层中采用相同的纠删码配比来进行数据存储,这样,存在着存储空间利用率低的问题。

发明内容

本申请实施例提供了一种数据存储方法、存储系统、存储设备及存储介质,能够提高存储系统的存储空间利用率。所述技术方案如下:

第一方面,提供了一种数据存储方法,所述方法应用于存储系统中,所述存储系统包括第一介质层和第二介质层,所述第一介质层的性能不同于所述第二介质层的性能,所述方法包括:在所述第一介质层中,按照第一纠删码配比存储数据;当设定条件满足时,将所述第一介质层中存储的所述数据按照第二纠删码配比迁移至所述第二介质层;其中,所述第一纠删码配比对应N个数据单元和M个校验单元,N和M为大于或等于1的整数,所述第二纠删码配比对应X个数据单元和Y个校验单元,X和Y为大于或等于1的整数,N和M的比值不等于X和Y的比值。

其中,N不等于X,M可以等于Y,也可以不等于Y。

第一介质层的性能不同于第二介质层的性能。一种情况下,第一介质层的性能高于第二介质层的性能,在第一介质层中按照第一纠删码配比存储数据。当设定条件满足时,将第一介质层中存储的数据按照第二纠删码配比迁移至第二介质层。第一介质层可以是DRAM或者SCM等作为内存使用的存储介质,第二介质层可以是固态硬盘或者机械硬盘等持久化存储介质。另一种情况下,在某些应用场景中,需要将低性能的存储介质中存储的数据还原至高性能的存储介质中,相应地,纠删码配比也会随着数据迁移发生变化,以匹配该存储介质的性能。例如,当第一介质层的性能低于第二介质层的性能时,在第一介质层中按照第一纠删码配比存储数据,并将第一介质层中存储的数据按照第二纠删码配比迁移至第二介质层这个过程则是一个数据读取过程。也即,待读取的数据在第一介质层中按照第一纠删码配比存储,在设定条件满足之后,将第一介质层中存储的数据读取至第二介质层,第二介质层中按照第二纠删码配比存储数据。之后,将读取到第二介质层中的数据反馈给用户。

上面说的介质层的性能通过该介质层的读写速度和时延等参数来表征。

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