[发明专利]一种高均匀性高功率的激光器外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010850453.9 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN114079226A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 赵凯迪;秦鹏;李志虎 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/343;H01S5/30 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 刘文容 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 功率 激光器 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种高均匀性高功率的激光器外延片，其特征在于，采用GaAs衬底，在GaAs衬底上由下至上依次包括：GaAs缓冲层，Gax1In1-x1P下限制层，GaAs1-y1Py1组分渐变下波导层，GaAs1-y2Py2下波导层，GaAs1-zPz量子阱层，GaAs1-y3Py3上波导层，GaAs1-y4Py4组分渐变上波导层，Gax2In1-x2P上限制层，Gax3In1-x3P腐蚀阻挡层，GaAs欧姆接触层；其中，GaAs1-y1Py1组分渐变下波导层y1由0.6-0.4范围渐变，GaAs1-y2Py2下波导层y2的取值为0.1-0.4，GaAs1-y3Py3上波导层y3的取值为0.1-0.5，GaAs1-y4Py4组分渐变上波导层y4由0.4-0.7范围渐变，z的取值为0.01-0.05，x1、x2、x3的取值为0.3-0.5。
2.如权利要求1所述的激光器外延片，其特征在于，所述GaAs1-y2Py2下波导层和GaAs1-y3Py3上波导层的厚度为10-20nm。
3.如权利要求1所述的激光器外延片，其特征在于，所述GaAs1-y1Py1组分渐变下波导层的厚度为0.4-0.7μm。
4.如权利要求1所述的激光器外延片，其特征在于，所述GaAs1-y4Py4组分渐变上波导层的厚度为0.1-0.3μm。
5.如权利要求1所述的激光器外延片，其特征在于，所述GaAs1-zPz量子阱层的厚度为5-10nm。
6.如权利要求1所述的激光器外延片，其特征在于，所述Gax1In1-x1P下限制层和Gax2In1-x2P上限制层的厚度为1-1.5μm。
7.如权利要求1所述的激光器外延片，其特征在于，所述Gax3In1-x3P腐蚀阻挡层的厚度为20-30nm。
8.如权利要求1所述的激光器外延片，其特征在于，所述GaAs缓冲层和GaAs欧姆接触层的厚度为100-300nm。
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