[发明专利]一种微弧氧化膜层的封孔方法有效
申请号: | 202010850336.2 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN112064091B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 刘志聃;黎花;单志;胡晓岳;戴护民 | 申请(专利权)人: | 广东机电职业技术学院 |
主分类号: | C25D11/30 | 分类号: | C25D11/30;A61L27/04;A61L27/34;A61L27/56;A61L27/58;A61L27/50 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 齐键 |
地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 方法 | ||
1.一种微弧氧化膜层的封孔方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)对带微弧氧化膜层的镁/镁合金进行清洗;
2)将聚己内酯分散在有机溶剂中,得到聚己内酯溶液;
3)将步骤1)处理过的带微弧氧化膜层的镁/镁合金浸在聚己内酯溶液中,进行超声处理;
4)将步骤3)处理过的带微弧氧化膜层的镁/镁合金取出,进行真空干燥;
5)重复步骤3)和4)的操作多次;
6)将步骤5)处理过的带微弧氧化膜层的镁/镁合金放入密闭容器,升温至密闭容器内温度超过聚己内酯熔点,并加压保持,再降至室温后减压,完成微弧氧化膜层的封孔;
步骤3)所述超声处理的时间为15~60s;
步骤6)所述加压保持为加压至密闭容器内压强为0.12~0.15MPa,保持10~15min;
步骤6)升温至密闭容器内温度高出聚己内酯熔点5~15℃。
2.根据权利要求1所述的微弧氧化膜层的封孔方法,其特征在于:步骤1)所述带微弧氧化膜层的镁/镁合金上的微孔的孔径为0.5~45μm。
3.根据权利要求1所述的微弧氧化膜层的封孔方法,其特征在于:步骤2)所述聚己内酯、有机溶剂的质量比为1:(1~10.5)。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的微弧氧化膜层的封孔方法,其特征在于:步骤2)所述聚己内酯的数均分子量为5000~100000。
5.根据权利要求1~3中任意一项所述的微弧氧化膜层的封孔方法,其特征在于:步骤2)所述有机溶剂为沸点低于85℃的有机溶剂。
6.根据权利要求1~3中任意一项所述的微弧氧化膜层的封孔方法,其特征在于:步骤4)所述真空干燥为抽真空至压强为0.02~0.04MPa,处理5~8min。
7.根据权利要求1~3中任意一项所述的微弧氧化膜层的封孔方法,其特征在于:步骤5)中重复步骤3)和4)的操作2~12次。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东机电职业技术学院,未经广东机电职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010850336.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。