[发明专利]有机发光二极管显示装置在审
申请号: | 202010849110.0 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN112530976A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 李美凛 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;侯艳超 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
提供一种有机发光二极管显示装置。有机发光二极管显示装置包括第一基板。有机发光二极管显示装置还包括有机发光二极管,有机发光二极管设置在第一基板上方并且包括第一电极、有机层和第二电极。有机发光二极管显示装置还包括设置在有机发光二极管上方的导电层。有机发光二极管显示装置还包括设置在第一基板上方的第二基板。有机发光二极管显示装置还包括设置在第二基板的与第一基板面对的表面上方的导电黑矩阵。有机发光二极管显示装置还包括接合第一基板和第二基板的密封剂。有机发光二极管显示装置还包括填充在第一基板与第二基板之间的导电填充材料。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年9月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0114257号的优先权,其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开内容涉及有机发光二极管(OLED)显示装置,并且更具体地涉及一种其中通过增加透射区域来提高透明度并且通过简化结构来抑制第二电极的电压降的OLED显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展,对用于显示图像的显示装置的各种需求正在增加。在显示装置领域中,薄、轻并且能够具有大面积的平板显示装置(FPD)已经迅速替代体积庞大的阴极射线管(CRT)。FPD的示例包括液晶显示装置(LCD)、等离子显示面板(PDP)、OLED显示装置、电泳显示装置(ED)等。
在这些FPD中,OLED显示装置是自发射显示装置,并且具有快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角。特别地,OLED显示装置甚至可以形成在柔性基板上。此外,与PDP或无机电致发光(EL)显示器相比,OLED显示装置如下优点:较低的驱动电压、较低的功耗和较好的色调。
近来,已经开发出一种透明显示装置,其使透明显示装置前方的用户能够透过透明显示装置看到位于透明显示装置后面的对象。例如,透明OLED显示装置实现为其中每个像素区域包括发射光的发射区域和透射外部光的透射区域的透明显示装置。像素区域具有权衡关系,其中透射区域随着发射区域增加而减小,而发射区域随着透射区域增加而减小。因此,难以增加发射区域的开口率。因此,继续进行关于可以在不减小透射区域的情况下增大发射区域的开口率的透明显示装置的研究。
发明内容
本公开内容要实现的目的是提供一种通过增加透射区域来提高透明度并且通过简化结构来抑制第二电极的电压降的显示装置。
根据本公开内容的一方面,提供了一种有机发光二极管显示装置。有机发光二极管显示装置包括第一基板。有机发光二极管显示装置还包括有机发光二极管,有机发光二极管设置在第一基板上并且包括第一电极、有机层和第二电极。有机发光二极管显示装置还包括设置在有机发光二极管上方的导电层。有机发光二极管显示装置还包括设置在第一基板上方的第二基板。有机发光二极管显示装置还包括设置在第二基板的与第一基板面对的表面上方的导电黑矩阵。有机发光二极管显示装置还包括接合第一基板和第二基板的密封剂。有机发光二极管显示装置还包括填充在第一基板与第二基板之间的导电填充材料。
根据本公开内容的实施方式,第二电极可以与导电层直接接触。
根据本公开内容的实施方式,导电层可以与导电填充材料直接接触。
根据本公开内容的实施方式,导电填充材料可以与导电黑矩阵直接接触。
根据本公开内容的实施方式,导电层可以包括IGZO、ITO和IZO之一。
根据本公开内容的实施方式,导电层可以具有比第二电极高的折射率。
根据本公开内容的实施方式,导电黑矩阵可以包括铜、钼、钛、铬或其合金之一。
根据本公开内容的实施方式,有机发光二极管显示装置还可以包括设置在导电黑矩阵中的多个滤色器。导电黑矩阵可以具有网格形状,所述多个滤色器放置在网格形状中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的