[发明专利]有机发光二极管显示装置在审
申请号: | 202010849110.0 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN112530976A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 李美凛 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;侯艳超 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,包括:
第一基板;
有机发光二极管,其设置在所述第一基板上方并且包括第一电极、有机层和第二电极;
导电层,其设置在所述有机发光二极管上方;
设置在所述第一基板上方的第二基板;
导电黑矩阵,其设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上方;
接合所述第一基板和所述第二基板的密封剂;以及
导电填充材料,其填充在所述第一基板与所述第二基板之间。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述第二电极与所述导电层直接接触。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述导电层与所述导电填充材料直接接触。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述导电填充材料与所述导电黑矩阵直接接触。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述导电层包括IGZO、ITO和IZO之一。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述导电层具有比所述第二电极高的折射率。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述导电黑矩阵包括铜、钼、钛、铬或其合金之一。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括:
设置在所述导电黑矩阵中的多个滤色器;
其中,所述导电黑矩阵具有网格形状,所述多个滤色器放置在所述网格形状中。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括:
透射区域,其对应于除设置有所述有机发光二极管和所述导电黑矩阵的区域以外的区域,
其中,所述透射区域使来自所述第一基板的背表面的光透射。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述有机层的一部分、所述第二电极的一部分和所述导电层的一部分叠置在所述透射区域中。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括:
连接至所述有机发光二极管的所述第一电极的薄膜晶体管。
12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述第二电极连接至阴极电力线。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括:
与所述第一电极的一部分交叠的连接图案;以及
连接至所述连接图案的修复线,
其中,所述修复线电连接至与所述第一电极相邻的另一第一电极。
14.一种有机发光二极管显示装置,包括:
彼此面对的第一基板和第二基板;
有机发光二极管,其包括第一电极、有机层和第二电极并且设置在所述第一基板上方;
导电层,其接触所述第二电极;
导电黑矩阵,其设置在所述第二基板的与所述第一基板面对的表面上方;以及
导电填充材料,其电连接所述导电层和所述导电黑矩阵。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置,还包括:
设置在所述导电黑矩阵中的多个滤色器,
其中,所述导电黑矩阵具有网格形状,所述多个滤色器放置在所述网格形状中。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述导电黑矩阵连接至阴极电力线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的