[发明专利]一种地层俘获截面曲线校正方法、装置及设备

说明书

本发明公开了一种地层俘获截面曲线校正方法、装置及设备，方法包括：建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型，根据蒙特卡罗计算模型分析出地层俘获截面获取的影响因素；获取实际井资料以及已有裸井资料中的标志层的俘获截面曲线，根据所述标志层的俘获截面曲线选出实际井中的异常井段，并对异常井段中的影响因素进行校正，其中，所述标志层包括纯泥岩层和纯水层；根据校正后的异常井段数据得到校正后的地层俘获截面曲线。本发明在蒙特卡罗方法的基础上，采用标志层法对影响因素进行校正，得到了PNN测井的适用条件，在一定程度上能够指导生产实际。

技术领域

本发明涉及PNN测井技术领域，特别涉及一种地层俘获截面曲线校正方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

PNN测井受到多种因素的影响，主要包括管柱结构、套管尺寸、井眼流体、地层孔隙度等，这些因素都会对热中子的衰减造成一定影响，从而加大了地层俘获截面准确提取的难度。为了准确确定地层宏观俘获截面计算的起止道，采用蒙特卡罗模拟方法对以上各影响因素采取单一影响因素模拟，了解热中子衰减谱规律，指导地层宏观俘获截面的提取。通过蒙特卡罗模拟结果分析，发现不同影响因素对PNN测井影响不完全一致，通过分析给出了在不同影响因素下地层宏观俘获截面提取的建议，理论上指导了地层宏观俘获截面的准确提取。由于蒙特卡罗是单一影响因素分析方法，其模拟结果与实际情况不可能完全符合，导致在实际应用时难以解决实际生产。

因而现有技术还有待改进和提高。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种地层俘获截面曲线校正方法、设备及存储介质，可对实际井中的地层俘获截面曲线的影响因素进行校正，以知道实际生产。

为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：

第一方面，本发明提供了一种地层俘获截面曲线校正方法，包括如下步骤：

建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型，根据蒙特卡罗计算模型分析出地层俘获截面获取的影响因素；

获取实际井资料以及已有裸井资料中的标志层的俘获截面曲线，根据所述标志层的俘获截面曲线选出实际井中的异常井段，并对异常井段中的影响因素进行校正，其中，所述标志层包括纯泥岩层和纯水层；

根据校正后的异常井段数据得到校正后的地层俘获截面曲线。

第二方面，本发明还提供了一种地层俘获截面曲线校正装置，包括：

影响因素分析模块，用于建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型，根据蒙特卡罗计算模型分析出地层俘获截面获取的影响因素；

影响因素校正模块，用于获取实际井资料以及已有裸井资料中的标志层的俘获截面曲线，根据所述标志层的俘获截面曲线选出实际井中的异常井段，并对异常井段中的影响因素进行校正，其中，所述标志层包括纯泥岩层和纯水层；

俘获截面校正模块，用于根据校正后的异常井段数据得到校正后的地层俘获截面曲线。

第三方面，本发明还提供了一种地层俘获截面曲线校正设备，包括处理器以及存储器；

所述存储器上存储有可被所述处理器执行的计算机可读程序；

所述处理器执行所述计算机可读程序时实现如上所述的地层俘获截面曲线校正方法。

第四方面，本发明还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有一个或者多个程序，所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现如上所述的地层俘获截面曲线校正方法中的步骤。