[发明专利]一种地层俘获截面曲线校正方法、装置及设备在审
申请号: | 202010848170.0 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN112036016A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 党利霞;邓瑞 | 申请(专利权)人: | 长江大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G06F30/25;E21B47/00;E21B49/00;G06F111/08 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 易贤卫 |
地址: | 434023*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 地层 俘获 截面 曲线 校正 方法 装置 设备 | ||
1.一种地层俘获截面曲线校正方法,其特征在于,包括如下步骤:
建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型,根据蒙特卡罗计算模型分析出地层俘获截面获取的影响因素;
获取实际井资料以及已有裸井资料中的标志层的俘获截面曲线,根据所述标志层的俘获截面曲线选出实际井中的异常井段,并对异常井段中的影响因素进行校正,其中,所述标志层包括纯泥岩层和纯水层;
根据校正后的异常井段数据得到校正后的地层俘获截面曲线。
2.根据权利要求1所述的地层俘获截面曲线校正方法,其特征在于,所述蒙特卡罗计算模型为:
Σ=Σm(1-φ)+ΣwSwφ+Σh(1-Sw)φ,
其中,Σ、Σm、Σw和Σh分别为地层、骨架、孔隙水和烃类的热中子宏观俘获截面,φ为孔隙度,Sw为含水饱和度。
3.根据权利要求2所述的地层俘获截面曲线校正方法,其特征在于,所述建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型,根据蒙特卡罗计算模型分析出地层俘获截面获取的影响因素的步骤包括:
建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型;
在不同条件因素下,采用蒙特卡罗计算模型获取地层俘获截面曲线,以分析出所述地层俘获截面获取的影响因素。
4.根据权利要求3所述的地层俘获截面曲线校正方法,其特征在于,所述条件因素包括仪器位置、管柱结构、套管尺寸、井眼水矿化度、地层水矿化度、泥质含量以及孔隙度。
5.根据权利要求4所述的地层俘获截面曲线校正方法,其特征在于,所述获取实际井资料以及已有裸井资料中的标志层的俘获截面曲线,根据所述标志层的俘获截面曲线选出实际井中的异常井段,并对异常井段中的影响因素进行校正的步骤包括:
根据已有裸井资料,选取其中最大且最稳定的纯泥岩层和纯水层,并将其作为标志层;
分析实际井资料,选取其中的异常井段;
根据所述标志层对所述异常井段进行校正。
6.根据权利要求5所述的地层俘获截面曲线校正方法,其特征在于,所述标志层的选取方法为:
根据已有裸眼井原始测量数据的GR曲线和SP曲线判定岩性,找出其中最大且稳定的纯泥岩层;
根据已有裸眼井成果数据找出纯水层。
7.一种地层俘获截面曲线校正装置,其特征在于,包括:
影响因素分析模块,用于建立地层俘获截面的蒙特卡罗计算模型,根据蒙特卡罗计算模型分析出地层俘获截面获取的影响因素;
影响因素校正模块,用于获取实际井资料以及已有裸井资料中的标志层的俘获截面曲线,根据所述标志层的俘获截面曲线选出实际井中的异常井段,并对异常井段中的影响因素进行校正,其中,所述标志层包括纯泥岩层和纯水层;
俘获截面校正模块,用于根据校正后的异常井段数据得到校正后的地层俘获截面曲线。
8.一种地层俘获截面曲线校正设备,其特征在于,包括处理器以及存储器;
所述存储器上存储有可被所述处理器执行的计算机可读程序;
所述处理器执行所述计算机可读程序时实现如权利要求1-6任意一项所述的地层俘获截面曲线校正方法中的步骤。
9.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有一个或者多个程序,所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行,以实现如权利要求1-6任意一项所述的地层俘获截面曲线校正方法中的步骤。
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