[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 202010847335.2 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN112420647A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 中西一浩;山北茂洋;野岛和弘;门多健一 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L25/18;H01L21/98;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,具备:
基板;
下部焊盘,设置于所述基板的上方;以及
上部焊盘,设置于所述下部焊盘上,
所述下部焊盘包括第一焊盘和设置于所述第一焊盘上的多个第一连接部,所述上部焊盘设置于所述多个第一连接部上,
或者,
所述上部焊盘包括第二焊盘和设置于所述第二焊盘下的多个第二连接部,所述下部焊盘设置于所述多个第二连接部下。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述下部焊盘包括所述第一焊盘和所述多个第一连接部,所述上部焊盘设置于所述多个第一连接部上,
以及,
所述上部焊盘包括所述第二焊盘和所述多个第二连接部,所述下部焊盘设置于所述多个第二连接部下。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述下部焊盘还包括设置于所述多个第一连接部上的第三焊盘,所述上部焊盘设置于所述第三焊盘上,
或者,
所述上部焊盘还包括设置于所述多个第二连接部下的第四焊盘,所述下部焊盘设置于所述第四焊盘下。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,
所述下部焊盘还包括设置于所述多个第一连接部上的第三焊盘,所述上部焊盘设置于所述第三焊盘上,
以及,
所述上部焊盘还包括设置于所述多个第二连接部下的第四焊盘,所述下部焊盘设置于所述第四焊盘下。
5.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,
所述第二连接部的个数与所述第一连接部的个数相同。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第一连接部隔着阻挡金属层而设置于所述第一焊盘上,
或者,
所述第二连接部隔着阻挡金属层而设置于所述第二焊盘下。
7.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述第三焊盘不隔着阻挡金属层而设置于所述第一连接部上,
或者,
所述第四焊盘不隔着阻挡金属层而设置于所述第二连接部下。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的半导体装置,其中,
所述第一焊盘设置于包括所述第一焊盘和与所述第一焊盘电连接的布线的布线层内,
或者,
所述第二焊盘设置于包括所述第二焊盘和与所述第二焊盘电连接的布线的布线层内。
9.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:
在第一基板的上方形成下部焊盘;
在第二基板的上方形成上部焊盘;
通过将形成于所述第一基板上的所述下部焊盘与形成于所述第二基板上的所述上部焊盘贴合,在所述下部焊盘上配置所述上部焊盘,
所述下部焊盘通过在所述第一基板的上方形成第一焊盘、并在所述第一焊盘上形成多个第一连接部而形成,所述上部焊盘通过将所述下部焊盘与所述上部焊盘贴合而配置于所述多个第一连接部上,
或者,
所述上部焊盘通过在所述第二基板的上方形成第二焊盘、并在所述第二焊盘上形成多个第二连接部而形成,所述下部焊盘通过将所述下部焊盘与所述上部焊盘贴合而配置于所述多个第二连接部下。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法,其中,
所述下部焊盘通过在所述多个第一连接部上进一步形成第三焊盘而形成,所述上部焊盘通过将所述下部焊盘与所述上部焊盘贴合而配置于所述第三焊盘上,
或者,
所述上部焊盘通过在所述多个第二连接部上进一步形成第四焊盘而形成,所述下部焊盘通过将所述下部焊盘与所述上部焊盘贴合而配置于所述第四焊盘下。
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