[发明专利]声波器件、声波器件的制造方法及相关器件

说明书

本发明实施例公开了一种声波器件、声波器件的制造方法及相关器件。其中，所述声波器件包括：衬底；位于所述衬底的第一表面的至少一个第一谐振结构；所述至少一个第一谐振结构中的各第一谐振结构之间通过串联的方式连接，串联的第一谐振结构形成了第一支路；位于所述衬底的第二表面的至少一个第二谐振结构；所述至少一个第二谐振结构中的各第二谐振结构均通过并联的方式连接到所述第一支路上；其中，所述第二表面与所述第一表面为相反面。

技术领域

本发明实施例涉及声波器件领域，特别涉及一种声波器件、声波器件的制造方法及相关器件。

背景技术

在广泛使用的诸如移动电话的通信设备中，通常包括使用声波的声波器件作为通讯设备的滤波器。作为声波器件的示例，存在使用表面声波(SAW，Surface Acoustic Wave)的器件、或者使用体声波(BAW，Bulk Acoustic Wave)的器件等。声波器件的性能会影响通信设备的通信效果。

随着通讯技术的发展，如何在顺应通信设备集成化和小型化发展趋势的同时，提高声波器件的性能成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种声波器件、声波器件的制造方法及相关器件。

本发明实施例提供了一种声波器件，包括：

衬底；

位于所述衬底的第一表面的至少一个第一谐振结构；所述至少一个第一谐振结构中的各第一谐振结构之间通过串联的方式连接，串联的第一谐振结构形成了第一支路；

位于所述衬底的第二表面的至少一个第二谐振结构；所述至少一个第二谐振结构中的各第二谐振结构均通过并联的方式连接到所述第一支路上；

其中，所述第二表面与所述第一表面为相反面。

上述方案中，所述声波器件还包括：位于第一通孔中的导电柱；其中，所述第一通孔贯穿所述衬底；所述第二谐振结构通过所述导电柱与所述第一谐振结构连接。

上述方案中，所述衬底包括：第一基底和第二基底；所述第一基底和所述第二基底通过键合形成所述衬底。

上述方案中，所述第一谐振结构和所述第二谐振结构中至少之一包括体声波谐振结构。

上述方案中，所述第一谐振结构包括体声波谐振结构，所述第二谐振结构包括表面声波谐振结构；

或者，

所述第一谐振结构包括体表面谐振结构，所述第二谐振结构包括立体声波谐振结构。

上述方案中，所述第一谐振结构和所述第二谐振结构均包括体声波谐振结构。

上述方案中，所述至少一个第一谐振结构与所述至少一个第二谐振结构的频率不同。

本发明实施例又提供了一种声波器件的制造方法，包括：

在衬底的第一表面形成至少一个第一谐振结构；所述至少一个第一谐振结构中的各第一谐振结构之间通过串联的方式连接，串联的第一谐振结构形成了第一支路；在所述衬底的第二表面形成至少一个第二谐振结构；所述至少一个第二谐振结构中的各第二谐振结构均通过并联的方式连接到所述第一支路上；

其中，所述第二表面与所述第一表面为相反面。

上述方案中，所述方法还包括：

在形成所述至少一个第一谐振结构之后，从所述第二表面形成贯穿所述衬底的第一通孔；

在所述第一通孔中形成贯穿所述衬底的导电柱；其中，所述第二谐振结构通过所述导电柱与所述第一谐振结构连接。

上述方案中，所述方法还包括：