[发明专利]声波器件、声波器件的制造方法及相关器件在审
| 申请号: | 202010845352.2 | 申请日: | 2020-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN111917394A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
| 发明(设计)人: | 高智伟;林瑞钦;黄韦胜;廖珮淳 | 申请(专利权)人: | 武汉衍熙微器件有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王军红;张颖玲 |
| 地址: | 430205 湖北省武汉市江夏区经济开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 声波 器件 制造 方法 相关 | ||
1.一种声波器件,其特征在于,包括:
衬底;
位于所述衬底的第一表面的至少一个第一谐振结构;所述至少一个第一谐振结构中的各第一谐振结构之间通过串联的方式连接,串联的第一谐振结构形成了第一支路;
位于所述衬底的第二表面的至少一个第二谐振结构;所述至少一个第二谐振结构中的各第二谐振结构均通过并联的方式连接到所述第一支路上;
其中,所述第二表面与所述第一表面为相反面。
2.根据权利要求1所述的声波器件,其特征在于,所述声波器件还包括:位于第一通孔中的导电柱;其中,所述第一通孔贯穿所述衬底;所述第二谐振结构通过所述导电柱与所述第一谐振结构连接。
3.根据权利要求1所述的声波器件,其特征在于,所述衬底包括:第一基底和第二基底;所述第一基底和所述第二基底通过键合形成所述衬底。
4.根据权利要求1所述的声波器件,其特征在于,所述第一谐振结构和所述第二谐振结构中至少之一包括体声波谐振结构。
5.根据权利要求4所述的声波器件,其特征在于,
所述第一谐振结构包括体声波谐振结构,所述第二谐振结构包括表面声波谐振结构;
或者,
所述第一谐振结构包括体表面谐振结构,所述第二谐振结构包括立体声波谐振结构。
6.根据权利要求4所述的声波器件,其特征在于,所述第一谐振结构和所述第二谐振结构均包括体声波谐振结构。
7.根据权利要求1所述的声波器件,其特征在于,所述至少一个第一谐振结构与所述至少一个第二谐振结构的频率不同。
8.一种声波器件的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底的第一表面形成至少一个第一谐振结构;所述至少一个第一谐振结构中的各第一谐振结构之间通过串联的方式连接,串联的第一谐振结构形成了第一支路;
在所述衬底的第二表面形成至少一个第二谐振结构;所述至少一个第二谐振结构中的各第二谐振结构均通过并联的方式连接到所述第一支路上;
其中,所述第二表面与所述第一表面为相反面。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在形成所述至少一个第一谐振结构之后,从所述第二表面形成贯穿所述衬底的第一通孔;
在所述第一通孔中形成贯穿所述衬底的导电柱;其中,所述第二谐振结构通过所述导电柱与所述第一谐振结构连接。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在形成所述至少一个第一谐振结构之前,键合第一基底和第二基底,形成所述衬底。
11.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一谐振结构和所述第二谐振结构中至少之一包括体声波谐振结构;
所述在衬底的第一表面形成至少一个第一谐振结构;在所述衬底的第二表面形成至少一个第二谐振结构,包括:
在包括体声波谐振结构的一个表面依次形成至少一个第一体声波谐振结构的第一反射结构、覆盖所述第一反射结构的第一电极层、第一压电层和第二电极层;形成第一调整层;调整所述第一调整层的厚度,以对所述至少一个第一体声波谐振结构进行频率调整;
在另一个表面依次形成至少一个第二体声波谐振结构的第二反射结构、覆盖所述第二反射结构的第三电极层、第二压电层和第四电极层;形成第二调整层;调整所述第二调整层的厚度,以对所述至少一个第二体声波谐振结构进行频率调整;或者,在另一个表面形成表面声波谐振结构;通过调整所述表面声波谐振结构的叉指电极IDT的参数,对所述表面声波谐振结构进行频率调整。
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