[发明专利]改性空穴传输层钙钛矿发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开了改性空穴传输层钙钛矿发光二极管及其制备方法，涉及光电器件领域，解决了现有钙钛矿发光二极管光电器件性能较低的问题。本发明包括所述空穴传输层用于钙钛矿发光二极管器件中，所述空穴传输层采用包括聚乙烯咔唑、聚环氧乙烯的共混溶液制成，所述空穴传输层用于作为PEABr DMSO溶液的旋转涂抹的依附物；PEABr DMSO溶液在所述空穴传输层上形成二维准晶结构；本发明所制备的光电器件的亮度明显提升、所制备的光电器件的流明效率明显提升、所制备的光电器件的外量子效率明显提升，同时与目前报道的所有文献相比，取得了最佳的性能效果。

技术领域

本发明涉及光电器件领域，具体涉及改性空穴传输层钙钛矿发光二极管及其制备方法。

背景技术

金属卤化物钙钛矿材料由于其优异的光电特性，成为继有机半导体材料之后的下一代电致发光材料。近几年，红、绿光钙钛矿电致发光器件已经取得了巨大的进展，在显示和照明领域展示出很好的应用前景。但是相比之下，钙钛矿电致发光器件的性能依旧处在较低的水平，制约了钙钛矿发光二极管在全色显示领域中的应用。因此如何提升钙钛矿电致发光器件的性能成为近期科学界的重要问题，通过器件制备方法的优化是一种重要高效的手段。

在这一类器件中，发光层的结构至关重要，相比于传统的三维钙钛矿发光层，二维钙钛矿发光层具有独特的优势，如更大的激子束缚能、更高的材料稳定性、更易制备高质量薄膜等，将钙钛矿发光层制备成二维结构至关重要，因此找到合适的方法将钙钛矿发光层制备成二维结构对提升光电器件的综合性能是意义重大的。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：现有钙钛矿发光二极管光电器件性能较低的问题。本发明提供了解决上述问题的改性空穴传输层钙钛矿发光二极管及其制备方法。

本发明通过下述技术方案实现：

改性空穴传输层钙钛矿发光二极管，包括空穴传输层和二维准晶结构；

所述空穴传输层用于钙钛矿发光二极管器件中，所述空穴传输层采用包括聚乙烯咔唑、聚环氧乙烯的共混溶液或聚乙烯咔唑溶液制成，所述空穴传输层用于作为PEABrDMSO溶液的旋转涂抹的依附物；

所述二维准晶结构为PEABr DMSO溶液在所述空穴传输层上形成的二维准晶结构。

所述空穴传输层为薄膜结构。

当所述空穴传输层采用包括聚乙烯咔唑、聚环氧乙烯的共混溶液制成，所述聚乙烯咔唑、聚环氧乙烯的共混溶液的质量比在5:1～6:0范围内，所述聚乙烯咔唑、聚环氧乙烯的共混溶液的质量浓度为6mg/ml。

当所述空穴传输层采用聚乙烯咔唑溶液制成，所述聚乙烯咔唑溶液的质量浓度为6mg/ml。

进一步地，还包括阴/阳极，分别设置ITO和Liq/Al分别作为钙钛矿发光二极管的阳极和阴极。

进一步地，还包括TmPyPB和PEA₂Cs_n-1Pb_nBr_3n+1；

PEA₂Cs_n-1Pb_nBr_3n+1在二极管中用于发光，为钙钛矿二极管的发光层，TmPyPB用于传输电子。

改性空穴传输层钙钛矿发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

步骤A，将聚乙烯咔唑材料溶液、聚环氧乙烯材料溶液共混，并在室温下搅拌形成混合溶液；

步骤B，将混合溶液采用涂覆方式制备成薄膜，所述薄膜为空穴传输层；

步骤C，在步骤B所述薄膜上旋涂上钙钛矿溶液制备成改性空穴传输层钙钛矿发光二极管。

进一步地，包括如下详细步骤：