[发明专利]改性空穴传输层钙钛矿发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.改性空穴传输层钙钛矿发光二极管，其特征在于，包括空穴传输层和二维准晶结构；

所述空穴传输层用于钙钛矿发光二极管器件中，所述空穴传输层采用包括聚乙烯咔唑、聚环氧乙烯的共混溶液或聚乙烯咔唑溶液制成，所述空穴传输层用于作为PEABr DMSO溶液的旋转涂抹的依附物；

所述二维准晶结构为PEABr DMSO溶液在所述空穴传输层上形成的二维准晶结构。

2.根据权利要求1所述的改性空穴传输层钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层为薄膜结构。

3.根据权利要求2所述的改性空穴传输层钙钛矿发光二极管，其特征在于，当所述空穴传输层采用包括聚乙烯咔唑、聚环氧乙烯的共混溶液制成，所述聚乙烯咔唑、聚环氧乙烯的共混溶液的质量比在5:1～6:0范围内，所述聚乙烯咔唑、聚环氧乙烯的共混溶液的质量浓度为6mg/ml。

4.根据权利要求2所述的改性空穴传输层钙钛矿发光二极管，其特征在于，当所述空穴传输层采用聚乙烯咔唑溶液制成，所述聚乙烯咔唑溶液的质量浓度为6mg/ml。

5.根据权利要求2所述的改性空穴传输层钙钛矿发光二极管，其特征在于，还包括阴/阳极，分别设置ITO和Liq/Al分别作为钙钛矿发光二极管的阳极和阴极。

6.根据权利要求2所述的改性空穴传输层钙钛矿发光二极管，其特征在于，还包括TmPyPB和PEA₂Cs_n-1Pb_nBr_3n+1；

PEA₂Cs_n-1Pb_nBr_3n+1在二极管中用于发光，为钙钛矿二极管的发光层，TmPyPB用于传输电子。

7.改性空穴传输层钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，制备权利要求1-6任意一条所述的改性空穴传输层钙钛矿发光二极管，包括如下步骤：

步骤A，将聚乙烯咔唑材料溶液、聚环氧乙烯材料溶液共混，并在室温下搅拌形成混合溶液；

步骤B，将混合溶液采用涂覆方式制备成薄膜，所述薄膜为空穴传输层；

步骤C，在步骤B所述薄膜上旋涂上钙钛矿溶液制备成改性空穴传输层钙钛矿发光二极管。

8.根据权利要求7所述的改性空穴传输层钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下详细步骤：

SA1，将聚乙烯咔唑与聚环氧乙烯按5:1～6:0范围内的质量比共混配成6mg/ml的溶液，搅拌至其混合均匀，并在室温下搅拌2h形成共混溶液；

SB1，将混合溶液旋涂4000rpm/min，60s，并同时在手套箱内150℃内加热15min采用涂覆方式制备成薄膜，所述薄膜为钙钛矿发光二极管的空穴传输层；

SC1，全在手套箱(H₂O、O₂含量1ppm)中完成如下操作：将CsBr:PbBr₂按1.2:1的摩尔比配制成12mg/ml的PEABr DMSO溶液，搅拌12小时，将搅拌后得到的溶液继续旋涂在所述SB1制备成的薄膜上，得到ITO/空穴传输层/PEA₂Cs_n-1Pb_nBr_3n+1薄膜；

SD1，将SC1得到的ITO/空穴传输层/PEA₂Cs_n-1Pb_nBr_3n+1薄膜传入真空系统，采用热蒸发工艺制备PeLEDs，所述PeLEDs为钙钛矿发光二极管。

9.根据权利要求8所述的改性空穴传输层钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤，SE1，在PeLEDs制备完成后立即在手套箱中进行封装。