[发明专利]曝光装置

说明书

本申请涉及一种曝光装置，包括：液晶显示掩膜，所述液晶显示掩膜包括第一基体、第二基体及液晶层，所述液晶层中分布有多个液晶；控制器，用于控制所述液晶显示掩膜显示预设的图案，并控制所述液晶显示掩膜的表面除了被所述预设的图案覆盖的区域外的区域为不透光区域；光源发出的第一出射光照射并穿过所述液晶显示掩膜的表面，被预设的图案覆盖的区域时射出第二出射光，照射被曝光物，使得被曝光物被所述第二出射光照射的表面曝光显示出预设的形状图案，控制器通过控制所述液晶层中不同区域的液晶的驱动电压值，以控制各不同区域的液晶的转动方向及/或扭曲程度，控制第二出射光的强度值。本申请成像简单、成本低且成像的准确度高。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种曝光装置。

背景技术

随着半导体技术的快速发展及市场对各种半导体器件需求量的增加，市场对半导体厂商的供货能力与产品质量提出了更高的要求。曝光显影是半导体器件蚀刻工艺中重要的步骤之一，曝光显影形成图案的准确度是影响蚀刻准确度的决定性因素之一，并决定着最终制备半导体器件的良品率、产品的使用寿命及工作的稳定性。

传统的曝光显影的过程一般采用发光二极管(Light Emitting Diode，LED)平行曝光机或采用激光直接成像(Laser Direct Imaging，LDI)的激光曝光机进行曝光处理。然而，LED平行曝光机需要使用菲林作为图像信息的载体，而菲林的制作、使用与保管都需要专业的设备及特殊的环境，处理不当或者遇到特殊的情况会给使用单位带来很大的工作量并增加不必要的使用成本。LDI激光曝光机虽然不需要使用菲林，直接成像，但激光成像的成本高昂，核心部件激光发生器寿命短，导致单次成功曝光的平均成本较高。曝光的成本居高不下且曝光成像的精确度难以达到目标要求，成为制约半导体制备工艺发展的重要影响因素之一。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够有效降低曝光成本、提高曝光精确度并能够控制曝光程度的曝光装置。

为实现上述目的及其他目的，本申请提供一种曝光装置，包括：

液晶显示掩膜，所述液晶显示掩膜包括第一基体、与所述第一基体相对设置的第二基体及设置于所述第一基体与所述第二基体之间的液晶层，所述液晶层中分布有多个液晶；

控制器，与所述液晶显示掩膜连接，用于控制所述液晶显示掩膜显示预设的图案，并控制所述液晶显示掩膜的表面除了被所述预设的图案覆盖的区域外的区域为不透光区域；

光源，设置于所述液晶显示掩膜的一侧，所述光源发出的第一出射光照射并穿过所述液晶显示掩膜的表面被所述预设的图案覆盖的区域，射出第二出射光，所述第二出射光照射被曝光物，以使得被曝光物被所述第二出射光照射的表面曝光显示出预设的形状图案；

其中，所述控制器通过控制所述液晶层中不同区域的液晶的驱动电压值，以控制各不同区域的液晶的转动方向及/或扭曲程度，使得所述液晶显示掩膜显示预设的图案，并控制所述第二出射光的强度值。

于上述实施例中的曝光装置中，通过控制液晶显示掩膜显示预设的图案，并控制所述液晶显示掩膜的表面除了被所述预设的图案覆盖的区域外的区域为不透光区域，使得光源发出的第一出射光照射并穿过所述液晶显示掩膜的表面被所述预设的图案覆盖的区域时射出第二出射光，照射被曝光物，使得被曝光物被所述第二出射光照射的表面曝光显示出预设的形状图案。由于液晶显示掩膜显示预设的图案不需要使用额外的耗材，成像简单、成本低且成像的准确度高，因而能够有效地降低曝光成本，并提高曝光成像的精确度。通过控制器控制所述液晶层中不同区域的液晶的驱动电压值，以控制各不同区域的液晶的转动方向及/或扭曲程度，使得所述液晶显示掩膜显示预设的图案，并控制所述第二出射光的强度值，以控制所述第二出射光曝光的程度或刻蚀的深度，有效地提高了曝光装置的整体性能。

在其中一个实施例中，所述第一基体为玻璃基板；及/或

所述第二基体为玻璃基板。