[发明专利]一种阵列基板膜层结构及其制备方法在审
| 申请号: | 202010836877.X | 申请日: | 2020-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN111969015A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
| 发明(设计)人: | 陈宇怀 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 张明 |
| 地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 基板膜层 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及OLED面板阵列基板技术领域,特别涉及一种阵列基板膜层结构及其制备方法,包括玻璃基板,玻璃基板的一侧面的增透区上依次层叠设有第一栅极导电层、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源漏极导电层、第一钝化层、第一平坦层、第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层,通过设置第一栅极导电层、第一源漏极导电层和第一阳极层,且第一栅极导电层、第一源漏极导电层和第一阳极层的材质均为透明导电材料,这样使得正常区拥有良好的显示效果以及更低的功耗;而且使得面板的增透区与正常区的像素密度可以保持一致,改善了现有屏下摄像头终端设备为了保证摄像头区域的透光率对部分像素进行留白缩减像素密度而导致观感上存在色差。
技术领域
本发明涉及OLED面板阵列基板技术领域,特别涉及一种阵列基板膜层结构及其制备方法。
背景技术
从“全面屏”这一概念出现后,人们就开始向着这一目标前行,经过努力,导航按键、听筒、传感器、指纹识别模组等都成功地实现了隐藏,新的封装工艺也让边框宽度不断下降,然而胜利在望的时刻,前置摄像头这一“钉子户”却成了最后的阻碍;于是异形屏成为了主流,同时也引起了大量用户的不满;机械结构虽然保证了屏幕完整性,但又让机身变得厚重,可靠性也有下降。
所谓屏下摄像头,需要前置摄像头上方的屏幕显示区域在摄像头关闭时呈现正常的显示状态,当摄像头启动后,这一区域又能够确保前置相机拥有充足的进光量;因此,搭载屏下摄像头的终端产品必须用到透光率非常高的OLED(即有机发光二极管)屏,否则,进光量不足就会对前置相机的成像效果产生影响。
OLED屏幕虽然是可以透光的,但透光率其实比较低;光学指纹识别可以通过屏幕的主动高亮发光照亮被摄画面,来弥补透光率低的问题,然而用于拍照的前置摄像头大部分情况则只能被动接受环境光,在摄像头模组本身较小、感光能力较弱的情况下,透光率便成了一个大问题;目前比较主流的做法就是此类“低PPI方案”,不过并不是让整个屏幕PPI(每英寸所拥有的像素数目)变低,而是只在摄像头区域的一小部分屏幕做此类低PPI设计,同时这也导致与周围屏幕有显示差异;目前的屏幕PPI大约在400左右,而PPI在这个水平,相机中光的透过率是很低的,这样就严重影响了拍照效果;而如果把PPI降低,提高透过率,就会出现显示区域的PPI和整个屏幕的PPI差距很大,从而出现显示区域有色块等现象。
在MWC19上海,OPPO首度展出其屏下摄像头解决方案“透视全景屏”,吸引了众人关注的目光,但试用者发现,屏下摄像头技术并没有想象的那么成熟:拍照时成像清晰度不高,出现了明显泛白的情况;摄像头区域的显示效果和屏幕其他区域有显著色差,近看则更加明显。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种阵列基板膜层结构及其制备方法,在不增加额外光罩和不缩减像素数量的前提下,增加面板特定区域的透光度。
为了解决上述技术问题,本发明采用的第一种技术方案为:
一种阵列基板膜层结构,包括玻璃基板,所述玻璃基板的一侧面的增透区上依次层叠设有第一栅极导电层、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源漏极导电层、第一钝化层、第一平坦层、第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层;
所述第一栅极绝缘层上开设有第一过孔,所述第一过孔中填充有第一源漏极导电层,所述第一源漏极导电层分别与第一栅极导电层、第一栅极绝缘层、第一有源层和第一钝化层接触,所述第一源漏极导电层上开设有第二过孔,所述第二过孔中填充有第一钝化层,所述第一钝化层分别与第一有源层和第一源漏极导电层接触,所述第一钝化层上开设有第三过孔,所述第一平坦层上开设有第四过孔,所述第四过孔与第三过孔相对设置且相通,所述第三过孔和第四过孔中均填充有第一阳极层,所述第三过孔中的第一阳极层分别与第一源漏极导电层和第一钝化层接触,所述第四过孔中的第一阳极层分别与第一平坦层和第一画素定义层接触,所述第一画素定义层上开设有第五过孔,所述第五过孔中填充有第一有机发光层,所述第一有机发光层分别与第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层接触;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





